[发明专利]用于真空封装的荧光收集装置有效

专利信息
申请号: 201410412121.7 申请日: 2014-08-20
公开(公告)号: CN104296867A 公开(公告)日: 2015-01-21
发明(设计)人: 陈江;阮军;刘丹丹;余凤翔;张首刚 申请(专利权)人: 中国科学院国家授时中心
主分类号: G01J3/02 分类号: G01J3/02
代理公司: 西安永生专利代理有限责任公司 61201 代理人: 申忠才
地址: 710600 陕*** 国省代码: 陕西;61
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 用于 真空 封装 荧光 收集 装置
【说明书】:

技术领域

发明属于光学探测器件设备或装置技术领域,具体涉及一种用于真空封装的荧光收集装置。

背景技术

原子探测在原子物理、量子频标等领域中都有广泛的应用。对于原子的探测,是用激光激发原子产生荧光并对荧光进行收集,再通过探测器探测到荧光的光强信号来判断原子的数目多少。探测效率是原子探测中的一个最重要的性能指标。

荧光收集一般通过透镜成像系统与感光原件接收荧光,透镜成像系统将原子散射的荧光聚集到探测器的感光原件表面。探测效率就是透镜相对荧光发散点所张的立体角与4π之比。探测效率与透镜直径与物距有关,探测装置半径越大,接收面积也就越大,相应的探测效率也就越高;探测距离越远,探测效率也越高。要获得高的探测效率就要求探测透镜需要尽量靠近荧光发散点且探测透镜口径设置得尽量大。对于探测透镜尽量靠近荧光散射点这一要求来讲,首先焦距必需小于物距,物距越小像距就越大,成的像也就越大,所要求的感光原件的接收面也就越大。所以要让探测透镜得尽量靠近荧光散射点,在冷原子团中不同位置的原子对探测透镜的空间立体张角不同,便得原子团的空间分布也对探测效率有一定影响,所以常采用大直径透镜来解决这一问题。

原子实验通常是在高真空环境下完成的,对于原子的探测是通过在真空系统外部搭建光路收集系统收集荧光,将荧光收集到探测器完成原子荧光的探测,真空装置的通光孔径大小直接限制了荧光的发散角的增大,限制了荧光收集效率从而在根本上限制了探测效率的提高。而且搭建在真空系统外部的荧光收集和探测系统,没有稳固的结构,不利于系统的标准化、小型化设计,也不利于实验系统的可靠性提高。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于克服上述荧光收集装置的缺点,提供一种结构合理、密封性高、调节方便、抗干扰能力强、可模块化集成、荧光收集效率高的用于真空封装的荧光收集装置。

解决上述技术问题所采用的技术方案是:在套筒外设置有法兰盘,套筒内左端设置有第一透镜焊接环,第一透镜焊接环上设置有光入射面为平面、出射面为凸面的第一透镜,第一透镜的曲率半径为28~38mm,距离第一透镜右端面右侧5~20mm处光出射方向上设置有位置锁定环和第二透镜安装环,第二透镜安装环上设置有光入射面为凸面、光出射面为平面的第二透镜,第二透镜为非球面透镜、曲率半径为20~35mm,非球面二次曲面系数为-2~15,第一透镜和第二透镜的镜面上真空交替蒸镀有8~14层二氧化硅和二氧化锆增透膜,距离第二透镜2右端面右侧30~45mm处光出射方向上设置有二极管支座锁定环,套筒上设置安装有硅光电二极管的二极管支座,硅光电二极管的表面真空蒸镀有二氧化硅保护膜。

本发明的第一透镜焊接环上设置有光入射面为平面、出射面为凸面的第一透镜,第一透镜的曲率半径最佳为33mm,第二透镜安装环4上设置有光入射面为凸面、光出射面为平面的第二透镜,第二透镜为非球面透镜、曲率半径最佳为28mm,非球面二次曲面系数为,第一透镜和第二透镜的镜面上真空交替蒸镀有层二氧化硅和二氧化锆增透膜。

本发明的硅光电二极管的表面真空蒸镀二氧化硅保护膜有1层。

本发明的硅光电二极管的光敏面积为20~100mm2、电容为17~150PF、采用电阻率为900~3000Ω·cm。

本发明的硅光电二极管的光敏面积最佳为60mm2、电容最佳为80PF、采用电阻率最佳为2000Ω·cm。

本发明采用整体封装结构,将一个荧光收集透镜封闭焊接在探测系统套筒内,其余元件及接收元件通过锁定环调节并锁定其在套筒内的位置,并将探测系统套筒焊接在法兰盘上,通过法兰盘直接固定安装在原子制备的物理系统的观察窗口处。原子探测系统中由冷原子团与探测光镜筒出射的探测光垂直作用产生荧光,产生的荧光射入第一透镜和第二透镜,汇聚在套筒内的硅光电二极管上,探测到原子发出的荧光信号转换成电信号通过导线输出。该装置简化了系统体积冗余过大的问题,提高了可靠性,本发明具有结构合理、密封性高、调节方便、抗干扰能力强、收集效率高等优点,可用于原子探测系统。

附图说明

图1是本发明实施例1的结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图和各实施例对本发明进一步详细说明,但本发明不限于这些实施例。

实施例1

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院国家授时中心,未经中国科学院国家授时中心许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410412121.7/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top