[发明专利]一种减少超低介质常数薄膜侧壁损伤的方法在审
| 申请号： | 201410411972.X | 申请日： | 2014-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN104134630A | 公开（公告）日： | 2014-11-05 |
| 发明（设计）人： | 鲍宇 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/3105 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;林彦之 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 减少 介质 常数 薄膜 侧壁 损伤 方法 | ||
1.一种减少超低介质常数薄膜侧壁损伤的方法，其特征在于，包括：
步骤S01：在半导体衬底上依次沉积介电阻挡层以及低介电常数层，其中，所述低介电常数层含有致孔剂；
步骤S02：通入含碳气体对所述低介电常数层表面进行等离子体处理，以去除所述低介电常数层表面的反应物，且在所述低介电常数层表面形成含碳氧化层；
步骤S03：对所述低介电常数层进行紫外线处理或加热处理，以去除所述致孔剂；
步骤S04：在处理后的低介电常数层表面依次形成介电阻挡层以及金属硬质掩膜层；
步骤S05：采用刻蚀工艺在所述金属硬质掩膜层、介电阻挡层、含碳氧化层和低介电常数层所形成层叠结构中形成沟槽。
2.如权利要求1所述的减少超低介质常数薄膜侧壁损伤的方法，其特征在于，所述含碳气体为O2与CO2的混合气体或纯CO2气体。
3.如权利要求2所述的减少超低介质常数薄膜侧壁损伤的方法，其特征在于，所述含碳气体处理所述低介电常数层所需的压力为2～10托，功率为300～1500W，气体流量为100～2000sccm，处理时间为2s～20s。
4.如权利要求1所述的减少超低介质常数薄膜侧壁损伤的方法，其特征在于，所述含碳气体还包含惰性气体。
5.如权利要求4所述的减少超低介质常数薄膜侧壁损伤的方法，其特征在于，所述惰性气体为氦气、氩气、氮气、氟化氮或四氟化碳其中的一种或几种的组合。
6.如权利要求1所述的减少超低介质常数薄膜侧壁损伤的方法，其特征在于，向所述低介电常数层掺入碳元素。
7.如权利要求7所述的减少超低介质常数薄膜侧壁损伤的方法，其特征在于，掺入碳元素的方法是离子注入或者等离子体掺杂。
8.如权利要求1所述的减少超低介质常数薄膜侧壁损伤的方法，其特征在于，所述低介电常数层采用等离子体化学气相沉积或者旋涂-凝胶法形成，所述低介电常数层的介电常数为2.2-2.8。
9.如权利要求1所述的减少超低介质常数薄膜侧壁损伤的方法，其特征在于，所述金属硬质掩膜层的材质为Ta或Ti或W或TaN或TiN或WN。
10.如权利要求1所述的减少超低介质常数薄膜侧壁损伤的方法，其特征在于，所述步骤S1中的介电阻挡层的材质为SiN或SiCN。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力微电子有限公司，未经上海华力微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410411972.X/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
