[发明专利]形成多孔超低介电材料的方法有效
| 申请号： | 201410411961.1 | 申请日： | 2014-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN104505344B | 公开（公告）日： | 2017-12-15 |
| 发明（设计）人： | 鲍宇;桑宁波;雷通 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31275 | 代理人： | 吴世华,林彦之 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 形成 多孔 超低介电 材料 方法 | ||
1.一种形成多孔超低介电材料的方法，其特征在于，包括：
步骤S01：在一半导体衬底上依次沉积介电阻挡层以及低介电常数层，其中，所述低介电常数层含有致孔剂；
步骤S02：对所述低介电常数层表面进行氧气等离子体处理，以去除其表面残留的反应物，但导致掺碳低介电常数层表面形成一层相对致密的氧化硅层；
步骤S03：去除所述低介电常数层表面的氧化层；
步骤S04：对所述低介电常数层进行紫外线处理或加热处理，以去除所述致孔剂；
步骤S05：在处理后的低介电常数层表面依次形成介电阻挡层以及金属硬质掩膜层。
2.如权利要求1所述的形成多孔超低介电材料的方法，其特征在于，所述步骤S03中采用湿法刻蚀工艺去除所述低介电常数层表面的氧化层。
3.如权利要求2所述的形成多孔超低介电材料的方法，其特征在于，采用稀氢氟酸溶液去除所述低介电常数层表面的氧化层。
4.如权利要求1所述的形成多孔超低介电材料的方法，其特征在于，所述步骤S03中采用干法刻蚀工艺或化学机械研磨工艺去除所述低介电常数层表面的氧化层。
5.如权利要求4所述的形成多孔超低介电材料的方法，其特征在于，所述步骤S01中,在所述低介电常数层的表面沉积介电层，其中，所述介电层的厚度为
6.如权利要求5所述的形成多孔超低介电材料的方法，其特征在于，所述介电层的材质为SiO2或SiON。
7.如权利要求1所述的形成多孔超低介电材料的方法，其特征在于，所述低介电常数层采用等离子体化学气相沉积或者旋涂-凝胶法沉积。
8.如权利要求1所述的形成多孔超低介电材料的方法，其特征在于，步骤S05中所述低介电常数层为掺杂碳的多孔氧化硅层。
9.如权利要求1所述的形成多孔超低介电材料的方法，其特征在于，步骤，所述步骤S01中的介电阻挡层的材质为SiN或SiCN。
10.如权利要求1所述的形成多孔超低介电材料的方法，其特征在于，所述氧化层的材质为SiO2。
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