[发明专利]存储器的存取方法有效

申请号：	201410411377.6	申请日：	2014-08-20
公开（公告）号：	CN105448321B	公开（公告）日：	2018-12-18
发明（设计）人：	张智翔	申请（专利权）人：	华邦电子股份有限公司
主分类号：	G11C11/16	分类号：	G11C11/16
代理公司：	隆天知识产权代理有限公司 72003	代理人：	李昕巍;赵根喜
地址：	中国台湾台***	国省代码：	中国台湾;71
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摘要：
搜索关键词：	存储器存取方法
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【说明书】：

本发明提供一种存储器的存取方法。存储器的存取方法包括：计算各字线地址的被存取次数；依据比较被存取次数与一临界存取数以设定对应的各字线地址为侵害字线地址；以及设定备用字线地址，并利用备用字线地址的记忆胞来取代侵害字线地址的记忆胞。

技术领域

本发明是有关于一种存储器的存取方法，且特别是有关于一种存储器的降低字线冲击效应(Row hammer effect)的方法。

背景技术

动态存储器在特定的应用状况下，会发生其中特定的字线(word line)需要被重复开启很多次的情况。在这样的情况下，邻近被重复开启很多次的字线的字线上的记忆胞就可能因为串音(cross talk)或耦合(coupling)效应而使所储存的数据产生变异。上述的状态被称为字线冲击效应(Row hammer effect)。

具体来说明，请参照图1绘示的动态存储器产生字线冲击效应的示意图。在当字线WLA在被两次邻近的刷新动作间被重复的多次的被开启，与字线WLA相邻的字线WLB以及WLC会因为字线WLA的重复开启动作而产生记忆胞中的数据发生变异的现象。其中，字线WLB以及WLC可以被称为受侵害(victim)的字线，而字线WLA则可以被称为侵害(aggressor)字线。

在习知的技术领域中，常通过额外的重刷新(refresh)动作来解决上述的字线冲击效应。这样的作法在丛发式的重刷新动作是无法被实现的。另外，为配合所要进行的额外的重刷新动作，通常需要针对动态存储器的使用规格进行变更，容易造成使用上的困难。

发明内容

本发明提供一种存储器装置及存储器的存取方法，用以有效减低动态随机存取存储器中发生字线冲击所可能造成的影响。

本发明的存储器的存取方法，包括：计算各字线地址的被存取次数；依据比较被存取次数与一临界存取数以设定对应的各字线地址为侵害字线地址；以及设定备用字线地址，并利用备用字线地址的记忆胞来取代侵害字线地址的记忆胞。

基于上述，本发明利用计算常用的字线的地址的被存取次数来判定字线的地址是否为侵害字线地址。并且，在当字线的地址被判定为侵害字线地址时，利用备用字线地址的记忆胞来取代侵害字线地址的记忆胞。如此一来，因字线冲击效应所可能产生的数据错误的现象可以有效的被避免，提升存储器储存数据的可靠度。

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附图式作详细说明如下。

附图说明

图1绘示的动态存储器产生字线冲击效应的示意图。

图2绘示本发明一实施例的存储器的存取方法的流程图。

图3绘示的备用字线地址与侵害字线地址的取代动作的示意图。

图4A绘示的本发明实施例的数据复制动作示意图。

图4B绘示的本发明实施例的数据复制动作波形图。