[发明专利]对准测量方法有效
| 申请号： | 201410410237.7 | 申请日： | 2014-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN105446090B | 公开（公告）日： | 2018-07-20 |
| 发明（设计）人： | 包巧霞;邓贵红;余志贤 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G03F9/00 | 分类号： | G03F9/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 对准 测量方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种对准测量方法，其特征在于，所述对准测量方法至少包括以下步骤：
步骤一：将待测量工件引入对准量测机台，在所述对准量测机台内设置用于对准测量的硅片对准标记测量点位置；
步骤二：采集设置于最小曝光单元中的多个硅片对准标记测量点的坐标；
步骤三：根据所述硅片对准标记测量点的坐标计算硅片对准标记测量点位置位移，所述测量点位置位移包括X方向位置位移、Y方向位置位移及对角位置位移；
步骤四：将对准量测机台计算所得硅片对准标记测量点位置位移与光罩上定义的对准标记点位置位移作比较，若偏差在允许范围内，则结束；若偏差超出允许范围，则返回步骤一重新设置所述硅片对准标记测量点位置，直至偏差在允许范围内为止。
2.根据权利要求1所述的对准测量方法，其特征在于：所述待测量工件为带有光刻图形信息的晶圆。
3.根据权利要求1所述的对准测量方法，其特征在于：步骤一中硅片对准标记测量点位置的设置依据为光罩上定义的光刻图形位置信息。
4.根据权利要求1所述的对准测量方法，其特征在于：最小曝光单元中的硅片对准标记测量点数量不少于4个。
5.根据权利要求1所述的对准测量方法，其特征在于：步骤四中所述允许范围设定为不大于0.0015％。
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