[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具有：

陶瓷衬底；

多个电路图案，其配置在所述陶瓷衬底表面；

半导体元件，其配置在至少1个所述电路图案的与所述陶瓷衬底相反的面；以及

封装树脂，其封装所述陶瓷衬底、所述多个电路图案以及所述半导体元件，

在相邻的所述电路图案的相对的侧面形成欠切部，

在所述欠切部中，所述电路图案的表面的端部与所述电路图案的和所述陶瓷衬底接触的面的端部相比，向该电路图案的外侧突出，

在所述欠切部中也填充所述封装树脂。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

在所述电路图案的表面，沿着该电路图案的表面的端部形成槽，

从所述电路图案的表面的端部至所述槽为止的距离小于或等于该电路图案的厚度，

在所述槽中也填充所述封装树脂。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

在所述电路图案上沿着该电路图案的外周在俯视观察时形成凹凸，该凹凸也由所述封装树脂封装。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

在所述电路图案表面形成有孔，在该孔中也填充所述封装树脂。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述半导体元件包含宽带隙半导体。

6.一种半导体装置的制造方法，其是制造权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：

(a)在所述陶瓷衬底的表面形成金属膜的工序；以及

(b)对所述金属膜进行蚀刻而形成所述电路图案的工序，

在所述工序(b)中，通过对所述电路图案的侧面进行过蚀刻而形成所述欠切部。

7.一种半导体装置的制造方法，其是制造权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：

(c)冲裁金属板从而形成所述电路图案的工序；

(d)在所述工序(c)之后，通过对所述电路图案的端部进行冲压，从而形成所述欠切部的工序；以及

(e)在所述工序(d)之后，将所述电路图案粘贴在所述陶瓷衬底的表面的工序。

8.一种半导体装置的制造方法，其是制造权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：

(f)将所述电路图案形成在所述陶瓷衬底表面的工序；以及

(g)在所述工序(f)之后，沿着所述电路图案的表面的端部向该电路图案的表面施加压力，从而形成所述槽的工序，

在所述工序(g)中，施加所述压力的位置相距所述电路图案的表面的端部的距离小于或等于该电路图案的厚度，

在形成所述槽时，所述电路图案的表面的端部被向外侧挤出，形成所述欠切部。