[发明专利]一种中温烧结低介微波介质陶瓷材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201410409636.1 | 申请日： | 2014-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN104230328A | 公开（公告）日： | 2014-12-24 |
| 发明（设计）人： | 张启龙;周珏辉;刘进壮;杨辉 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | C04B35/457 | 分类号： | C04B35/457;C04B35/622;C04B35/63 |
| 代理公司： | 杭州中成专利事务所有限公司 33212 | 代理人： | 周世骏 |
| 地址： | 310027 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 烧结 微波 介质 陶瓷材料 及其 制备 方法 | ||
1.一种中温烧结低介微波介质陶瓷材料，其特征在于，所述中温烧结低介微波介质陶瓷材料的化学表达式为(1-x)Mg2SnO4–xLFV，其中：复合烧结助剂LFV为LiF-Fe2O3-V2O5，x＝2～5wt％，所述LiF-Fe2O3-V2O5中是由原料LiF，Fe2O3和V2O5的质量含量比为4∶1∶2组成。
2.一种基于权利要求1中所述中温烧结低介微波介质陶瓷材料的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：
步骤(1)：按摩尔比SnO2∶MgO＝1∶2称取原料SnO2和MgO，进行球磨混料4h，然后放入氧化铝坩埚中以1200℃进行烧制，然后球磨制得Mg2SnO4粉末；
步骤(2)：按质量含量比为LiF∶Fe2O3∶V2O5＝4∶1∶2称取原料LiF、Fe2O3和V2O5进行混合，得到复合烧结助剂LFV；
步骤(3)：按质量含量比Mg2SnO4∶LFV＝(1-x)∶x称取步骤(1)制得Mg2SnO4、步骤(2)中制得复合烧结助剂LFV，其中x＝2～5wt％，球磨混合4h；
步骤(4)：将步骤(3)制得混合粉料中加入5％聚乙烯醇水溶液进行造粒，并在150MPa压强下进行压制，制备出直径18mm、厚度9mm的圆柱状坯体；
步骤(5)：将步骤(4)制得的坯体以2℃/min升温到550℃保温1h，然后以5℃/min升温到1025～1075℃保温烧结4h，即制得所述中温烧结低介微波介质陶瓷材料。
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