[发明专利]低泄漏模拟开关

说明书

技术领域

本发明总体上涉及模拟开关，并且更特别地涉及了一种隔离开关，其中当一个节点具有未知、不可预测或变化的电势，或者两个节点均具有未知、不可预测或变化的电势的时候，所述隔离开关将两个电路之间的节点隔离开。

背景技术

当场效应晶体管(FET)处于非导通状态下，它不应该允许任何电流在其漏极和源极端子之间流动。然而，实际上即使当晶体管的栅极到源极电压将晶体管偏置在非导通状态下，亚阈值电流(sub-thresholdcurrent)(泄漏电流)也可以在漏极和源极端子之间流动。因此，在少量的泄漏电流可以导致故障或者错误结果的场合，例如，在敏感的仪器、调谐或者监视电路中，场效应晶体管不适合于“接通”和“断开”开关应用。因此，带有阻止或者减小泄漏电流的FET的电路是有益的。

附图说明

通过参考下述对优选实施例及其附图的描述，能够更好地理解本发明及其目的和优点，其中：

图1是依据本发明实施例的半导体隔离开关的示意性电路图；

图2是依据本发明另一个实施例的半导体隔离开关的示意性电路图；

图3是依据本发明实施例的半导体隔离电路的示意性电路图；

图4是依据本发明另一个实施例的半导体隔离电路的示意性电路图；

图5是依据本发明实施例的模拟电路的示意性电路图。

具体实施方式

在下文中结合附图所进行的详细描述旨在作为对本发明的现有优选实施例的描述，并不旨在代表可以实施本发明的唯一形式。可以理解的是，相同或者等同的功能可以由旨在被包括在本发明的精神和范围内的不同实施例来完成。在附图中，相同的数字始终用于代表相同的元件。另外，词语“包含”“包含有”，或它的其它变型，旨在覆盖非排外的包含，以使包含一系列元件或者步骤的模块，电路，器件组件，结构和方法步骤不仅仅包括那些元件，也可以包括其它没有明确说明的元件和步骤或者这种模块，电路，器件组件或者步骤固有的元件或者步骤。前加“包含...一个”的元件或者步骤不排除(但不作更多限制)包含所述元件或者步骤的附加的相同元件或者步骤的存在。

在一个实施例中，本发明提供具有第一节点、第二节点，以及开关控制节点的半导体隔离开关。有两个串联连接的主场效应晶体管(primaryFET)，其中，第一个主场效应晶体管耦接在第一节点和中间节点之间，并且第二个主场效应晶体管耦接在中间节点和第二节点之间。可控上拉场效应晶体管串联耦接到可控下拉场效应晶体管。该可控上拉场效应晶体管耦接在电源轨节点和公共节点之间，并且该可控下拉场效应晶体管耦接在公共节点和接地轨节点之间。泄漏控制晶体管耦接在公共节点和中间节点之间。主场效应晶体管、可控上拉场效应晶体管、可控下拉场效应晶体管，以及泄漏控制晶体管的每个都具有与开关控制节点耦接的相应的栅电极。

在另一个实施例中，本发明提供了模拟开关，所述模拟开关包括带有第一电路互连节点的第一电路，以及带有第二电路互连节点的第二电路。该模拟开关选择性地将第一电路互连节点连接到第二电路互连节点。该模拟开关还包括与第一电路互连节点耦接的第一节点，以及与第二电路互连节点耦接的第二节点。有两个串联连接的主场效应晶体管，其中，第一个主场效应晶体管耦接在第一节点和中间节点之间，以及第二个主场效应晶体管耦接在中间节点和第二节点之间。可控上拉场效应晶体管串联耦接到可控下拉场效应晶体管。可控上拉场效应晶体管耦接在电源轨节点和公共节点之间，并且可控下拉场效应晶体管耦接在公共节点和接地轨节点之间。泄漏控制晶体管耦接在公共节点和中间节点之间。主场效应晶体管、可控上拉场效应晶体管、可控下拉场效应晶体管，以及泄漏控制晶体管的每个都具有与开关控制节点耦接的相应的栅电极。