[发明专利]用于检测血流容积和组织代谢异常的装置有效

专利信息
申请号: 201410408807.9 申请日: 2014-08-19
公开(公告)号: CN104146698A 公开(公告)日: 2014-11-19
发明(设计)人: 刘洪运;王卫东;彭福来 申请(专利权)人: 王卫东
主分类号: A61B5/0295 分类号: A61B5/0295;A61B5/00
代理公司: 北京京万通知识产权代理有限公司 11440 代理人: 齐晓静
地址: 100853 北京市海淀*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 用于 检测 血流 容积 组织 代谢 异常 装置
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种医用检测装置,尤其涉及一种用于检测血流容积和组织代谢异常的装置。

背景技术

现有技术中,对病变的组织细胞的检测已经有很多种方法。以乳腺癌为例,包括乳腺X线摄影(乳腺钼靶照相)、彩超,必要时也可进行乳腺磁共振检查(MRI)。但是,这些技术均是在出现组织病变后才能使用,不利于疾病的早期预防和发现。

发明内容

为此,本发明旨在提出一种用于检测血流容积和组织代谢异常的装置,其能够检测到血流容积和组织的代谢异常。

为了达成上述目的,本发明提出一种用于检测血流容积和组织代谢异常的装置,其包括发光二极管阵列、光敏探测器阵列、第一多路选择器、第二多路选择器、发光二极管阵列驱动电路、模拟信号处理单元、模数转换单元、控制单元;发光二极管阵列由多个发光点组成,每个发光点由至少一个发光二极管组成,用于发射进入组织的光;发光二极管阵列的输入端通过第一多路选择器连接至发光二极管阵列驱动电路的输出端;第一多路选择器的地址输入端连接至控制单元,通过控制单元的控制选择发光二极管阵列中的发光点;发光二极管阵列驱动电路的输入端连接至控制单元,根据控制单元的控制输出预定的功率;光敏探测器阵列由多个光敏探测器组成,用于接收从组织中反射出的光;光敏探测器阵列的输出端通过第二多路选择器连接至模拟信号处理单元的输入端;第二多路选择器的地址输入端连接至控制单元,通过控制单元的控制选择光敏探测器阵列中的光敏探测器;模拟信号处理单元的输出端连接至模数转换单元的输入端,模数转换单元的输出端连接至控制单元。

优选地,发光二极管阵列与光敏探测器阵列布置在同一个本体上。

优选地,所述本体为柔性的。

优选地,所述发光二极管阵列的每个发光点被所述光敏探测器阵列的多个光敏探测器围绕。

优选地,所述发光二极管阵列驱动电路输出的驱动电流是可变的。

优选地,所述每个发光点由两个对接的发光二极管组成,所述两个发光二极管发出的光波段不同。

本发明的用于检测血流容积和组织代谢异常的装置通过光子经过组织,确定组织代谢异常的情况和部位,防病于未然。

附图说明

图1为本发明的用于检测血流容积和组织代谢异常的装置的原理框图;

图2为本发明的用于检测血流容积和组织代谢异常的装置的本体的示意图;

图3为本体中的一个发光点工作时的状态图示意图;

图4为用本发明的用于检测血流容积和组织代谢异常的装置检测组织时的工作示意图;

图5为光子在组织中传播的香蕉效应示意图。

具体实施方式

下面,结合附图对本发明的用于检测血流容积和组织代谢异常的装置进行详细说明。

本发明主要利用光子在组织中香蕉效应来检测组织的代谢情况,如图5所示。

如图1-3所示为本发明的检测血流容积和组织代谢异常的装置,其主要包括发光二极管阵列20、光敏探测器阵列30、第一多路选择器22、23、第二多路选择器33、34、发光二极管阵列驱动电路21、模拟信号处理单元31、模数转换单元32、控制单元10;发光二极管阵列20由多个发光点组成,每个发光点由至少一个发光二极管组成,用于发射进入组织的光;发光二极管阵列20的输入端通过第一多路选择器22、23连接至发光二极管阵列驱动电路21的输出端;第一多路选择器22、23的地址输入端连接至控制单元10,通过控制单元10的控制选择发光二极管阵列20中的发光点;发光二极管阵列驱动电路21的输入端连接至控制单元10,根据控制单元10的控制输出预定的功率;光敏探测器阵列30由多个光敏探测器组成,用于接收从组织中反射出的光;光敏探测器阵列30的输出端通过第二多路选择器33、34连接至模拟信号处理单元31的输入端;第二多路选择器33、34的地址输入端连接至控制单元10,通过控制单元10的控制选择光敏探测器阵列30中的光敏探测器;模拟信号处理单元31的输出端连接至模数转换单元32的输入端,模数转换单元32的输出端连接至控制单元10。这里,模拟信号处理单元31完成滤波与信号放大。模数转换单元32将模拟信号转换为数字信号,由A/D电路实现。

发光二极管阵列20与光敏探测器阵列30布置在同一个本体50上,优选地,本体50为柔性材料制成,以方便与人体的皮肤表面贴合。如图2、3所示,发光二极管阵列20的发光点25与光敏探测器阵列30的光敏探测器35是交叉布置的,使得每个发光点25周围都围绕设置有多个光敏探测器35。

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