[发明专利]谐振式压力传感器及其制造方法

权利要求书

1.一种谐振式压力传感器，包括：

第一基底，其包括隔膜和布置在该隔膜上的至少一个凸部；以及

至少一个谐振器，其布置在所述第一基底中，在所述凸部中包括该谐振器的至少一部分，该谐振器布置在所述凸部的顶部与所述第一基底的中间层之间,

其中，所述第一基底是SOI基底，该SOI基底包括硅基底、表面硅层和布置在所述硅基底与所述表面硅层之间的二氧化硅层，

所述第一基底的中间层位于所述硅基底中，并且

所述谐振器布置于在所述表面硅层中包括的所述凸部中。

2.根据权利要求1所述的谐振式压力传感器，其中，所述凸部完全包围所述谐振器。

3.根据权利要求1所述的谐振式压力传感器，其中，

所述第一基底包括布置在所述隔膜的外周的支承件，并且

所述支承件的与第一表面相对的第二表面粘合至第二基底。

4.根据权利要求3所述的谐振式压力传感器，其中，所述第一基底具有：

第一凹部，其位于所述第一表面上的凸部周围；以及

第二凹部，其位于所述第二表面上。

5.根据权利要求4所述的谐振式压力传感器，其中，所述第二凹部大于所述第一凹部。

6.根据权利要求3所述的谐振式压力传感器，其中，所述第二基底具有压力孔，该压力孔被构造为允许外部施加的压力传播至所述隔膜。

7.根据权利要求1所述的谐振式压力传感器，其中，

所述凸部包括第一谐振器和第二谐振器，并且

所述第一谐振器和所述第二谐振器以彼此对齐的方式布置在所述凸部中。

8.根据权利要求7所述的谐振式压力传感器，其中，

所述凸部包括第一凸部和与第一凸部分离的第二凸部，

所述第一凸部包括所述第一谐振器，并且

所述第二凸部包括所述第二谐振器。

9.根据权利要求8所述的谐振式压力传感器，其中，所述第一凸部和所述第二凸部彼此同心。

10.根据权利要求1所述的谐振式压力传感器，其中，所述凸部布置在所述第一基底的上表面上。

11.根据权利要求1所述的谐振式压力传感器，其中，所述凸部布置在所述第一基底的下表面上。

12.根据权利要求1所述的谐振式压力传感器，其中，所述中间层位于将所述第一基底划分为两个相等厚度的部分的二等分线上。

13.根据权利要求1所述的谐振式压力传感器，其中，所述隔膜具有圆角。

14.一种谐振式压力传感器的制造方法，该方法包括以下步骤：

(a)在包括隔膜的第一基底中形成至少一个谐振器；

(b)在所述第一基底的第一表面上形成至少一个凸部，该凸部包括谐振器，该谐振器布置在该凸部的顶部与所述第一基底的中间层之间，

其中，所述第一基底是SOI基底，该SOI基底包括硅基底、表面硅层和布置在所述硅基底与所述表面硅层之间的二氧化硅层，

所述第一基底的中间层位于所述硅基底中，并且

所述谐振器布置于在所述表面硅层中包括的所述凸部中。

15.根据权利要求14所述的谐振式压力传感器的制造方法，还包括：

(c)将所述第一基底的第一表面粘合至支承基底。

16.根据权利要求15所述的谐振式压力传感器的制造方法，还包括：

(d)在与所述第一基底的第一表面相对的第二表面上形成凹部。