[发明专利]薄膜晶体管及显示面板

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，其特征在于，其包括：

一栅极电极，配置于一基板上；

一沟道层，与所述栅极电极电性绝缘；

一栅极绝缘层，配置于所述栅极电极与所述沟道层之间；

一源极电极，电性连接所述沟道层；以及

一漏极电极，电性连接所述沟道层，

其中所述沟道层定义出一接近所述栅极绝缘层的一侧的前沟道层、一接近所述源极电极和所述漏极电极的一侧的背沟道层以及一位于所述前沟道层与所述背沟道层之间的中间层，所述前沟道层的氧空位浓度大于所述中间层的氧空位浓度。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述前沟道层与所述背沟道层的氧空位浓度皆大于所述中间层的氧空位浓度。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，更包括：

一保护层，配置于所述沟道层与所述源极电极及所述漏极电极之间，且覆盖于部分所述沟道层上以裸露出部分沟道层。

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述前沟道层系定义为所述沟道层接近所述栅极绝缘层的一侧的束缚能开始产生位移处。

5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述前沟道层的厚度系介于1nm～10nm。

6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述背沟道层系定义为所述沟道层接近所述源极电极与所述漏极电极的一侧的束缚能开始产生位移处。

7.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述背沟道层的厚度系介于1nm～10nm。

8.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述沟道层为一金属氧化物半导体层。

9.根据权利要求8所述的薄膜晶体管，其中所述金属氧化物半导体层的材料为氧化铟镓锌，所述氧化铟镓锌的铟、镓、锌、氧原子的比例为1:1.45～1.8:1～1.25:4.3～4.7。

10.根据权利要求8所述的薄膜晶体管，其中所述金属氧化物半导体层的材料为氧化铟镓锌，所述前沟道层的氧空位浓度及所述背沟道层的氧空位浓度介于3％～20％之间。

11.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其中所述保护层具有多个开口，所述源极电极与所述漏极电极都透过所述开口而与所述沟道层接触，而位于所述开口下方的所述沟道层的氧空位浓度大于与所述保护层接触的所述沟道层的氧空位浓度。

12.一种显示面板，其特征在于，包括：

一第一基板；

一第二基板，与所述第一基板结合；以及

一主动元件阵列层，配置于所述第一基板及所述第二基板之间，所述主动元件阵列层包括复数个薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：

一栅极电极，配置于一基板上；

一沟道层，与所述栅极电极电性绝缘；

一栅极绝缘层，配置于所述栅极电极与所述沟道层之间；

一源极电极，电性连接所述沟道层；以及

一漏极电极，电性连接所述沟道层，

其中所述沟道层定义出一接近所述栅极绝缘层的一侧的前沟道层、一接近所述源极电极和所述漏极电极的一侧的背沟道层以及一位于所述前沟道层与所述背沟道层之间的中间层，所述前沟道层的氧空位浓度大于所述中间层的氧空位浓度。

13.根据权利要求12所述的显示面板，其中所述前沟道层与所述背沟道层的氧空位浓度皆大于所述中间层的氧空位浓度。

14.根据权利要求12所述的显示面板，更包括：

一保护层，配置于所述沟道层与所述源极电极及所述漏极电极之间，且覆盖于部分所述沟道层上以裸露出部分沟道层。