[发明专利]一种新型HOT SWAP控制芯片设计方法在审
申请号: | 201410405285.7 | 申请日: | 2014-08-18 |
公开(公告)号: | CN104166766A | 公开(公告)日: | 2014-11-26 |
发明(设计)人: | 王武军 | 申请(专利权)人: | 浪潮电子信息产业股份有限公司 |
主分类号: | G06F17/50 | 分类号: | G06F17/50 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 250101 山东*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 新型 hot swap 控制 芯片 设计 方法 | ||
1.一种新型HOT SWAP控制芯片设计方法,其特征是具体步骤为:
①将MOSFET与控制IC集成为一颗芯片,并且通过电流镜像原理反馈给控制单元通过MOSFET的电流值大小,通过此单元实现OCP保护功能;
②内部集成MOSFET温度侦测单元,通过此单元实现OVP保护或者UVLO保护;
③内部数字控制单元,实现电流侦测,温度侦测,电压侦测,并存储到寄存器中,通过PMBUS协议,允许主机访问寄存器,读取数据。
2.根据权利要求1所述的一种新型HOT SWAP控制芯片设计方法,其特征是所述的步骤①中电流值的大小通过MOSFET矩阵中固定位置挑选其中一颗MOSFET作为基准,此颗MOSFET通过的电流与整颗MOSFET成正比关系,通过侦测流过此颗MOSFET的电流来计算流过整体芯片的电流大小。
3. 根据权利要求1所述的一种新型HOT SWAP控制芯片设计方法,其特征是所述的步骤②中侦测VIN端电压,当电压高于设定值时,触发保护OVP保护;当电压低于设定值时,触发保护UVLO保护。
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