[发明专利]低压差稳压器

权利要求书

1.一种稳压器，包括：

MOS-型传输晶体管，其中所述传输晶体管的第一沟道可连接至电压源，并且其中所述传输晶体管的第二沟道连接至所述稳压器的输出端；以及

误差放大器，其具有基准输入端和输出端，所述输出端连接至所述传输晶体管的栅极，所述基准输入端连接至基准电压源。

2.如权利要求1所述的稳压器，进一步包括连接在所述传输晶体管的栅极和地之间的电容器。

3.如权利要求1所述的稳压器，其中所述误差放大器的闭环带宽低于20kHz。

4.如权利要求1所述的稳压器，其中所述误差放大器的闭环带宽低于10kHz。

5.如权利要求1所述的稳压器，其中所述传输晶体管为NMOS-型晶体管，并且其中所述传输晶体管的漏极可连接至所述电压源，并且其中所述传输晶体管的源极连接至所述稳压器的所述输出端。

6.如权利要求1所述的稳压器，其中所述传输晶体管为PMOS-型晶体管，并且其中所述传输晶体管的源极可连接至所述电压源，并且其中所述传输晶体管的漏极连接至所述稳压器的所述输出端。

7.如权利要求1所述的稳压器，其中所述误差放大器包括输入级，并且其中所述输入级包括AB类放大器。

8.如权利要求1所述的稳压器，其中由所述误差放大器汲取的电流与所述基准电压源的值和所述稳压器的所述输出端的电压的值之间的差成比例。

9.一种稳压器，包括

传输晶体管，其中所述传输晶体管的第一沟道可连接至电压源，并且其中所述传输晶体管的第二沟道连接至所述稳压器的输出端；以及

误差放大器，其具有基准输入端和输出端，所述输出端连接至所述传输晶体管的栅极，所述基准输入端连接至基准电压源，以及所述误差放大器具有AB类输入级。

10.如权利要求9所述的稳压器，其中由所述误差放大器汲取的电流与所述基准电压源的值和所述输出端的电压之间的差成比例。

11.如权利要求9所述的稳压器，其中所述输入级包括差分放大器，所述差分放大器包括：

第一晶体管，其中所述基准输入端连接至所述第一晶体管的栅极；

第二晶体管，其中所述误差放大器的输出端连接至所述第二晶体管的栅极；和

偏置晶体管，其操作以偏置流过所述第一晶体管的电流。

12.如权利要求9所述的稳压器，其中所述输入级包括差分放大器，所述差分放大器包括：

第一反馈回路，其中所述基准输入端连接至所述第一反馈回路；

第二反馈回路，其中所述误差放大器的输出端连接至所述第二反馈回路；

其中当所述稳压器的输出负载增加时，所述误差放大器的输出电压降低，且所述第一反馈回路中的偏置电流增加。

13.如权利要求12所述的稳压器，其中所述第二反馈回路中的偏置电流和所述第一反馈回路的所述偏置电流成比例。

14.如权利要求12所述的稳压器，其中所述第二反馈回路包括：

第一晶体管和第二晶体管，其中所述第一晶体管和所述第二晶体管的栅极连接至所述误差放大器的所述输出端；

第三晶体管，其偏置所述第一晶体管中的电流；以及

第四晶体管，其偏置所述第二晶体管中的电流；

其中所述第一晶体管的源极连接至所述第二反馈回路；以及

其中所述第三晶体管的栅极连接至所述第四晶体管的栅极。

15.如权利要求12所述的稳压器，其中所述第一反馈回路被配置为基本类似于所述第二反馈回路。

16.如权利要求9所述的稳压器，其中所述输入级包括差分放大器，所述差分放大器包括：

第一反馈回路，其中所述基准输入端连接至所述第一反馈回路；

第二反馈回路，其中所述误差放大器的输出端连接至所述第二反馈回路；和

电流偏置晶体管，其偏置流过所述第一反馈回路和所述第二反馈回路的电流；

其中当所述稳压器的输出负载增加时，所述误差放大器的输出电压降低，且所述第一反馈回路中的偏置电流增加。

17.如权利要求17所述的稳压器，进一步包括连接至所述差分放大器的电流选择器。