[发明专利]一种含硅合金靶材及其制备方法在审
| 申请号： | 201410404505.4 | 申请日： | 2014-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN105331939A | 公开（公告）日： | 2016-02-17 |
| 发明（设计）人： | 张凤戈;张路长;姚伟;缪磊;穆健刚;何向晖;郝权;孙继洲 | 申请（专利权）人： | 安泰科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;B22F3/02;B22F3/04 |
| 代理公司： | 北京五洲洋和知识产权代理事务所(普通合伙) 11387 | 代理人： | 刘春成;温泉 |
| 地址： | 100081 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 合金 及其 制备 方法 | ||
1.一种含硅合金靶材的制备方法，其特征在于，所述含硅合金靶材按原子百分比由以下成分组成：硅大于0小于等于80％，其余为铬；
所述含硅合金靶材的制备方法，包括以下步骤：
步骤一、预合金粉末制备；所述预合金粉末的平均粒径不大于50μm；
步骤二、对所述预合金粉末进行冷等静压处理，得到冷等静压压坯，并装入包套内；所述在冷等静压处理的压力为20～196MPa，保压时间为10～30min；
步骤三、对装入所述冷等静压压坯的包套进行脱气处理，得到脱气后的锭坯；所述脱气处理的温度为300～450℃，脱气时间为5～30h；
步骤四、对所述脱气后的锭坯进行热等静压处理，得到压制后的锭坯，再去除包套得到压制后的坯料；所述热等静压处理的保温温度为800～1080℃，时间2～5h，压力为120～150MPa；
步骤五，对所述压制后的坯料进行机加工处理，得到所述含硅合金靶材。
2.根据权利要求1所述的含硅合金靶材的制备方法，其特征在于，所述含硅合金靶材按原子百分比由以下成分组成：铬20～50％，硅50％～80％。
3.根据权利要求2所述的含硅合金靶材的制备方法，其特征在于，所述含硅合金靶材按原子百分比由以下成分组成：铬20％，硅80％。
4.根据权利要求1所述的含硅合金靶材的制备方法，其特征在于，所述含硅合金靶材的相对密度不低于99％。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述步骤一中，
通过机械合金化处理制备所述预合金粉末；所述机械合金化处理为将铬粉和纯硅粉或将铬粉和铬硅合金粉于惰性气体保护条件下在高能球磨机中混合4～24h。
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述步骤一中，将铬粉和铬硅合金粉，于真空或高纯氩气保护条件下在V型混料机中混合3～10h。
7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述步骤三中，所述脱气处理时的真空度控制在10
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