[发明专利]一种SiC晶须的制备方法

权利要求书

1.一种SiC晶须的制备方法，其特征在于：包括下列步骤：

1)取碳源和硅源制成前驱体；

2)将步骤1)所得前驱体压制成片后，埋入石英砂中，进行微波烧结合成反应，即得。

2.根据权利要求1所述的SiC晶须的制备方法，其特征在于：步骤1)中，按照碳与硅的摩尔比为3～7.5:1的比例，将碳源和硅源制成前驱体。

3.根据权利要求1或2所述的SiC晶须的制备方法，其特征在于：步骤1)中，将碳源和硅源制成前驱体的方法为：将硅源通过溶胶凝胶法制成无定型二氧化硅，与碳源直接混合制成前驱体；或者，将碳源和硅源通过溶胶凝胶法制备成无定型二氧化硅包裹碳源的前驱体。

4.根据权利要求3所述的SiC晶须的制备方法，其特征在于：所述碳源为煤；所述硅源为硅酸酯。

5.根据权利要求4所述的SiC晶须的制备方法，其特征在于：将碳源和硅源通过溶胶凝胶法制备成无定型二氧化硅包裹碳源的前驱体，包括下列步骤：

a)取硅酸酯、乙醇与水混合，调节pH为3～4，搅拌，得混合物A；

b)向混合物A中加入碳源，搅拌，调节pH为8～9，得混合物B；

c)将混合物B过滤，取滤饼，干燥，即得二氧化硅包裹碳源前驱体。

6.根据权利要求5所述的SiC晶须的制备方法，其特征在于：步骤a)中，硅酸酯、乙醇与水的体积比为23:35:50。

7.根据权利要求5所述的SiC晶须的制备方法，其特征在于：步骤a)中，采用柠檬酸调节pH为3～4；步骤b)中，采用氨水调节pH为8～9。

8.根据权利要求1所述的SiC晶须的制备方法，其特征在于：步骤2)中，所述压制的压力为4～200MPa。

9.根据权利要求1所述的SiC晶须的制备方法，其特征在于：步骤2)中，所述石英砂置于氧化铝坩埚中。

10.根据权利要求1所述的SiC晶须的制备方法，其特征在于：步骤2)中，所述微波烧结合成反应是采用微波烧结的方式，先以5～20℃/min的速率升温至580～620℃，调节输入功率，再以20～200℃/min的速率升温至1000～1700℃，保温5～120min。