[发明专利]一种转移石墨烯的方法及由该方法得到的石墨烯薄膜

权利要求书

1.一种转移石墨烯的方法，其特征在于：利用双面胶膜将生长在生长基底(4)上的石墨烯(5)转移到目标衬底(7)上。

2.根据权利要求1所述的一种转移石墨烯的方法，其特征在于包括以下步骤：

步骤一：将双面胶膜的上离型膜(1)撕掉，留下双面胶膜体(2)和下离型膜(3)；

步骤二：准备生长有石墨烯(5)的生长基体(4)，与步骤一处理后的双面胶膜贴合，石墨烯(5)贴合在双面胶膜体(2)上；

步骤三：去除生长基体(4)；

步骤四：在石墨烯(5)上贴合一层保护膜(6)；

步骤五：将双面胶膜体(2)的下离型膜(3)撕掉，将带有保护膜(6)的石墨烯(5)和双面胶膜体(2)贴合在目标衬底(7)上；

步骤六：撕掉保护膜(6)，完成石墨烯(5)由生长基底(4)到目标衬底(7)的转移。

3.根据权利要求1所述的一种转移石墨烯的方法，其特征在于包括以下步骤：

步骤一：将双面胶膜的上离型膜(1)撕掉，留下双面胶膜体(2)和下离型膜(3)；

步骤二：准备生长有石墨烯(5)的生长基体(4)，与步骤一处理后的双面胶膜贴合，石墨烯(5)贴合在双面胶膜体(2)上；

步骤三：去除生长基体(4)；

步骤四：准备生长有石墨烯(5)的生长基底(4)，将本步骤中的石墨烯(5)与步骤三中的石墨烯(5)贴合；再去除生长基体(4)；根据所需转移的石墨烯的层数，循环本步骤；

步骤五：在位于最上层的石墨烯(5)上贴合一层保护膜(6)；

步骤六：将双面胶膜体(2)的下离型膜(3)撕掉，将带有保护膜(6)的石墨烯(5)和双面胶膜体(2)贴合在目标衬底(7)上；

步骤七：撕掉保护膜(6)，完成石墨烯(5)由生长基底(4)到目标衬底(7)的转移。

4.根据权利要求2或3所述的一种转移石墨烯的方法，其特征在于：所述的贴合为滚压贴合。

5.根据权利要求2或3所述的一种转移石墨烯的方法，其特征在于：所述的去除生长基体(4)的方法为化学腐蚀法或者电解剥离法。

6.根据权利要求2或3所述的一种转移石墨烯的方法，其特征在于：所述保护膜为PE膜或PET膜或离型膜或静电保护膜。

7.根据权利要求2或3所述的一种转移石墨烯的方法，其特征在于：所述双面胶膜体(2)包括基膜(21)、复合在基膜(21)上面的上胶层(22)和复合在基膜(21)下面的下胶层(23)；上胶层(22)和下胶层(23)均为硅胶或丙烯酸胶或PET胶，厚度相同或者不相同，范围均为2～50um，黏度范围为1～500g；基膜(21)为PET膜或者PE膜，厚度为1～180um。

8.根据权利要求7所述的一种转移石墨烯的方法，其特征在于：所述上胶层(22)的黏度小于下胶层(23)的黏度；所述下胶层(23)的黏度为10～450g；上胶层(22)的黏度为1～100g。

9.根据权利要求2或3所述的一种转移石墨烯的方法，其特征在于：所述上离型膜(1)为PET离型膜或PE离型膜或OPP离型膜或BOPET离型膜或BOPP离型膜，厚度为25～180um；所述下离型膜(3)为PET离型膜或PE离型膜或OPP离型膜或BOPET离型膜或BOPP离型膜，厚度为50～180um。

10.一种石墨烯薄膜，其特征在于：依次为石墨烯(5)、双面胶膜体(2)和目标衬底(7)；双面胶膜体(2)包括基膜(21)、复合在基膜(21)上面的上胶层(22)和复合在基膜(21)下面的下胶层(23)；上胶层(22)和下胶层(23)厚度相同或者不同，厚度范围为2～50um，黏度相同或者不同，黏度范围为1～500g；基膜(21)厚度为1～180um。