[发明专利]CMP工艺仿真方法及其仿真系统在审

专利信息
申请号: 201410400134.2 申请日: 2014-08-14
公开(公告)号: CN104123428A 公开(公告)日: 2014-10-29
发明(设计)人: 刘宏伟;陈岚;方晶晶;孙艳;张贺;马天宇 申请(专利权)人: 中国科学院微电子研究所
主分类号: G06F17/50 分类号: G06F17/50;G06F9/455
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 王宝筠
地址: 100029 *** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: cmp 工艺 仿真 方法 及其 系统
【权利要求书】:

1.一种CMP工艺仿真方法,其特征在于,包括:

对芯片版图进行网格划分,形成多个网格单元,提取各个网格单元的图形特征;

分别以所述各个网格单元的图形特征为索引目标,在预设多维空间数据表格中,查找与所述各个网格单元图形特征对应的CMP工艺仿真表面形貌数据,获得所述各个网格单元的CMP工艺仿真结果;

对各个网格单元的CMP工艺仿真结果进行汇总,获得所述芯片版图的CMP工艺仿真结果;

其中,所述预设多维空间数据表格为包括决定CMP工艺表面形貌特征的图形特征以及图形级CMP工艺仿真表面形貌数据对应关系的多维空间数据表格。

2.根据权利要求1所述的仿真方法,其特征在于,所述多维空间数据表格的形成方法包括:

选取芯片版图的样本集,所述样本集中包括各种几何布局和/或各种模块组合的芯片版图;

对所述样本集中的每一个芯片版图提取图形特征;

利用图形级CMP工艺仿真系统,对所述样本集中的每一个芯片版图进行数值仿真,提取各芯片版图的图形级CMP工艺仿真数据;

根据所述样本集中的每一个芯片版图的图形特征及其图形级CMP工艺仿真数据,建立包括决定CMP工艺表面形貌特征的图形特征以及其相应的图形级CMP工艺仿真表面形貌数据对应关系的多维空间数据表格。

3.根据权利要求2所述的仿真方法,其特征在于,对所述样本集中的每一个芯片版图提取图形特征包括:

根据CMP工艺要求确定版图局域面积的大小,将所述样本集中的每一个芯片版图划分成多个第二局部芯片单元;

对所述第二局部芯片单元的图形特征进行提取。

4.根据权利要求3所述的仿真方法,其特征在于,所述第二局部芯片单元的确定方法包括:

从样本集中选取一实验样本;

根据CMP工艺要求确定版图局域面积的大小,将所述实验样本中的芯片版图划分成多个第一局部芯片单元;

提取各第一局部芯片单元的图形特征,对所述实验样本进行图形级CMP工艺仿真和CMP工艺,获得所述实验样本的图形级CMP工艺仿真数据和CMP工艺数据;

计算所述实验样本的图形级CMP工艺仿真数据和CMP工艺数据的误差;

判断所述实验样本的图形级CMP工艺仿真数据和CMP工艺数据的误差是否在预设范围内;

如果是,则将所述第一局部芯片单元记为第二局部芯片单元;

如果否,则对所述第一局部芯片单元进行进一步划分,直至所述实验样本的图形级CMP工艺仿真数据和CMP工艺数据的误差在预设范围内,并将进一步划分后的局部芯片单元记为第二局部芯片单元。

5.根据权利要求3所述的仿真方法,其特征在于,对所述第二局部芯片单元的图形特征进行提取后还包括:

选取位移算子,以所述第二局部芯片单元为起点,按照所述位移算子,分别采用横向位移、纵向位移和/或中心发散位移三种方法确定第三局部芯片单元;

对所述第三局部芯片单元所包括的第二局部芯片单元的图形特征进行平均,获得所述第三局部芯片单元的图形特征。

6.根据权利要求2所述的仿真方法,其特征在于,利用图形级CMP工艺仿真,对所述样本集中的每一个芯片版图进行数值仿真,提取图形级CMP工艺仿真数据前还包括:

制备测试芯片,对所述测试芯片进行CMP工艺,并对所述测试芯片相对应的版图进行CMP工艺仿真,记录所述测试芯片CMP工艺后的实验数据及其图形级CMP工艺仿真后的仿真数据;

对比所记录的所述测试芯片经过CMP工艺后的实验数据及其相应的版图经过图形级CMP工艺仿真后的仿真数据,对图形级CMP工艺仿真系统进行校准。

7.根据权利要求1所述的仿真方法,其特征在于,分别以所述各个网格单元的图形特征为索引目标,在预设多维空间数据表格中,查找与所述各个网格单元图形特征对应的CMP工艺仿真表面形貌数据,获得所述各个网格单元的CMP工艺仿真结果包括:

分别以所述各个网格单元的图形特征为索引目标,在预设多维空间数据表格中,查找与所述各个网格单元图形特征对应的CMP工艺仿真表面形貌数据;

对查找到的与所述各个网格单元图形特征对应的CMP工艺仿真表面形貌数据进行数据处理,获得所述各个网格单元的CMP工艺仿真结果。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所,未经中国科学院微电子研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410400134.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top