[发明专利]放射线摄像装置和放射线摄像显示系统

说明书

本发明提供了放射线摄像装置和设置有该放射线摄像装置的放射线摄像显示系统，它们能够抑制漏电流、提高元件的寿命且实现高的可靠性。该放射线摄像装置包括：多个像素，所述多个像素中的各者被构造成生成基于放射线的信号电荷；以及场效应晶体管，所述场效应晶体管用于从所述多个像素中的各者读取所述信号电荷。在该放射线摄像装置中，所述场效应晶体管包括：半导体层，所述半导体层包括活性层和被形成为毗邻所述活性层的低浓度杂质层；以及第一栅极电极和第二栅极电极，它们被设置成彼此面对，且所述活性层介于它们两者之间。而且，所述第一栅极电极和所述第二栅极电极中的至少一者被设置于不面对所述低浓度杂质层的区域中。

技术领域

本发明涉及适用于例如用于医学应用和非破坏性检查的X射线摄影的放射线摄像装置，并且涉及使用这样的放射线摄像装置的放射线摄像显示系统。

背景技术

人们已经提出了一种例如基于诸如X射线等放射线来获取图像信号的放射线摄像装置(例如，参见日本未经审查的专利申请公开第2008-252074号和第2004-265935号)。

在上述放射线摄像装置中，薄膜晶体管(TFT：thin film transistor)被用作如下的开关元件：该开关元件被设置成从各像素读取基于放射线的信号电荷。所期望的是，在这样的晶体管中实现针对于放射线而言极其可靠的元件结构。

发明内容

目前期望提供一种能够提高可靠性的放射线摄像装置，以及一种包括这样的放射线摄像装置的放射线摄像显示系统。

根据本发明的实施方案而提供了一种放射线摄像装置，所述放射线摄像装置包括：多个像素，所述多个像素中的各者被构造成生成基于放射线的信号电荷；以及场效应晶体管，所述场效应晶体管用于从所述多个像素中的各者读取所述信号电荷。这里，所述场效应晶体管包括：半导体层，所述半导体层包括活性层和被形成为毗邻所述活性层的低浓度杂质层；以及第一栅极电极和第二栅极电极，它们两者被设置成彼此面对，且所述活性层介于它们两者之间。而且，所述第一栅极电极和所述第二栅极电极中的至少一者被设置于不面对所述低浓度杂质层的区域中。

根据本发明的实施方案而提供了一种放射线摄像显示系统，所述放射线摄像显示系统包括：放射线摄像装置；以及显示器，所述显示器被构造成执行基于由所述放射线摄像装置获得的摄像信号的图像显示。这里，所述放射线摄像装置包括：多个像素，所述多个像素中的各者被构造成生成基于放射线的信号电荷；以及场效应晶体管，所述场效应晶体管用于从所述多个像素中的各者读取所述信号电荷。此外，所述场效应晶体管包括：半导体层，所述半导体层包括活性层和被形成为毗邻所述活性层的低浓度杂质层；以及第一栅极电极和第二栅极电极，它们两者被设置成彼此面对，且所述活性层介于它们两者之间。而且，所述第一栅极电极和所述第二栅极电极中的至少一者被设置于不面对所述低浓度杂质层的区域中。

在根据本发明上述各实施方案的放射线摄像装置和放射线摄像显示系统中，在用于从各像素读取信号电荷的场效应晶体管中，第一栅极电极和第二栅极电极被设置成彼此面对且活性层介于它们两者之间。而且，第一栅极电极和第二栅极电极中的至少一者被设置于不面对低浓度杂质层的区域中。因此，抑制了在所述晶体管的截止时间出现的漏电流，并且提高了元件的寿命。

根据本发明上述各实施方案的放射线摄像装置和放射线摄像显示系统，在用于从各像素读取信号电荷的场效应晶体管中，第一栅极电极和第二栅极电极被设置成彼此面对且活性层介于它们两者之间。而且，第一栅极电极和第二栅极电极中的至少一者被设置于不面对低浓度杂质层的区域中。因此，就使得能够提高元件的寿命。于是，就使得能够增加可靠性。

需要理解的是，前面的一般说明和下面的详细说明都仅是示例性的，且旨在提供对本发明所要求保护的技术的进一步说明。

附图说明