[发明专利]具有槽屏蔽电极结构的半导体器件在审
| 申请号： | 201410397676.9 | 申请日： | 2009-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN104157688A | 公开（公告）日： | 2014-11-19 |
| 发明（设计）人： | P·温卡特拉曼 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/739;H01L29/745;H01L29/41;H01L27/088;H01L27/082 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 金晓 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 屏蔽电极 结构 半导体器件 | ||
1.一种半导体器件结构，其包括：
半导体材料区，其具有主表面以及第一边缘和相对的第二边缘；
槽，其在从所述第一边缘到所述第二边缘的第一方向上延伸；
屏蔽电极，其在所述槽中形成；
与所述屏蔽电极接触的第一接触，所述第一接触相邻于所述第一边缘而形成；
与所述屏蔽电极接触的第二接触，所述第二接触相邻于所述第二边缘而形成；以及
与所述屏蔽电极接触的第三接触，所述第三接触从沿着所述第一方向的所述半导体器件结构的中心偏离，以便所述第三接触更接近所述第一边缘而不是更接近所述第二边缘。
2.如权利要求1所述的结构，其进一步包括在所述槽中形成的第一栅极电极，所述第一栅极电极相邻于所述第一边缘而延伸并在所述第三接触之前终止。
3.如权利要求2所述的结构，其进一步包括第一栅极浇道，所述第一栅极浇道与相邻于所述第一边缘的所述第一栅极电极接触，其中，所述第一栅极浇道具有第一端部部分，且其中，所述第一接触进一步包围在所述第一端部部分周围。
4.一种半导体器件结构，其包括：
半导体材料区，其具有主表面、第一边缘和相对的第二边缘以及内部部分；
槽，其在从所述第一边缘到所述第二边缘的第一方向上延伸；
屏蔽电极，其在所述槽中形成；
控制电极，其在所述槽的一部分中形成并延伸到所述第一边缘；
第一接触，其与相邻于所述第一边缘的所述控制电极接触；以及
第二接触，其在所述内部部分处与所述屏蔽电极接触，其中所述第二接触从沿着所述第一方向的所述半导体器件结构的中心偏离，以便所述第二接触更接近所述第一边缘而不是更接近所述第二边缘。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于半导体元件工业有限责任公司，未经半导体元件工业有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
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