[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，具备：

第1电极；

第2电极；

第1导电型的第1半导体区域，设置在上述第1电极与上述第2电极之间；

第2导电型的第2半导体区域，设置在上述第1电极与上述第1半导体区域之间；

第2导电型的第3半导体区域以及第1导电型的第4半导体区域，设置在上述第1电极与上述第2半导体区域之间，在与第1方向交叉的第2方向上排列，该第1方向是从上述第1电极朝向上述第2电极的方向；

第2导电型的第5半导体区域，位于上述第3半导体区域与上述第2电极之间，设置在上述第1半导体区域与上述第2电极之间；

第2导电型的第6半导体区域，位于上述第4半导体区域与上述第2电极之间，设置在上述第1半导体区域与上述第2电极之间；

第1导电型的第7半导体区域，设置在上述第5半导体区域与上述第2电极之间；以及

第3电极，隔着第1绝缘膜设置于上述第7半导体区域、上述第5半导体区域以及上述第1半导体区域，

所述第3半导体区域的杂质浓度比所述第2半导体区域的杂质浓度高。

2.如权利要求1记载的半导体装置，

上述第3半导体区域在上述第2方向上被分割为多个第1区域，

该半导体装置还具备被在上述第2方向上相邻的上述第1区域夹持的第1导电型的第8半导体区域。

3.如权利要求1记载的半导体装置，

上述第4半导体区域在上述第2方向上被分割为多个第2区域，

该半导体装置还具备被在上述第2方向上相邻的上述第2区域夹持的第2导电型的第9半导体区域。

4.如权利要求1记载的半导体装置，

还具备隔着第2绝缘膜而设于上述第6半导体区域及上述第1半导体区域的多个第4电极，

上述多个第4电极在上述第2方向上排列。

5.如权利要求4记载的半导体装置，

还具备第2导电型的第10半导体区域，该第2导电型的第10半导体区域设置在上述第2电极与上述第6半导体区域之间，与上述第2绝缘膜相接，与上述第6半导体区域相比杂质浓度更高。

6.如权利要求1记载的半导体装置，

在上述第1半导体区域与上述第5半导体区域之间、以及上述第1半导体区域与上述第6半导体区域之间，设有第1导电型的第11半导体区域。

7.如权利要求2记载的半导体装置，

还具备隔着第2绝缘膜而设置于上述第6半导体区域及上述第1半导体区域的多个第4电极，

上述多个第4电极在上述第2方向上排列。

8.如权利要求2记载的半导体装置，

上述第4半导体区域在上述第2方向上被分割为多个第2区域，

该半导体装置还具备被在上述第2方向上相邻的上述第2区域夹持的第2导电型的第9半导体区域。

9.如权利要求7记载的半导体装置，

还具备第2导电型的第10半导体区域，该第2导电型的第10半导体区域设置在上述第2电极与上述第6半导体区域之间，与上述第2绝缘膜相接，与上述第6半导体区域相比杂质浓度更高。

10.如权利要求3记载的半导体装置，

还具备隔着第2绝缘膜而设置于上述第6半导体区域及上述第1半导体区域的多个第4电极，

上述多个第4电极在上述第2方向上排列。

11.如权利要求10记载的半导体装置，

上述多个第4电极中的至少1个与上述第2电极电连接。

12.如权利要求10记载的半导体装置，

还具备第2导电型的第10半导体区域，该第2导电型的第10半导体区域设置在上述第2电极与上述第6半导体区域之间，与上述第2绝缘膜相接，与上述第6半导体区域相比杂质浓度更高。

13.如权利要求4记载的半导体装置，

还具备第2导电型的第10半导体区域，该第2导电型的第10半导体区域设置在上述第2电极与上述第6半导体区域之间，与上述第2绝缘膜相接，与上述第6半导体区域相比杂质浓度更高。

14.如权利要求13记载的半导体装置，

上述第10半导体区域在与上述第1方向及上述第2方向交叉的第3方向上被分割为多个第3区域。

15.如权利要求5记载的半导体装置，

在上述第2方向上，上述第10半导体区域隔着上述第2绝缘膜被相邻的上述第4电极夹持，

上述第10半导体区域在与上述第1方向及上述第2方向交叉的第3方向上被分割为多个第3区域。