[发明专利]RF-LDMOS自对准的漏端场板结构及制作方法

权利要求书

1.一种RF-LDMOS自对准的漏端场板结构，包括电极层（1）、衬底（2）、外延层（3）、源极-衬底连接层（4）、漂移区（5）、固定电位区（7）、源极（8）、沟道（9）、漏极（15）、绝缘层（10）、栅极（20）、栅极金属硅化物（21）、源极-沟道连接区（22），其特征在于，还包括SiO₂层（23）、非晶硅（12）和金属硅化物（17）；

衬底（2）设置在电极层（1）上，所述外延层（3）和源极-衬底连接层（4）设置在衬底（2）上，所述漏极（15）设置在外延层（3）上，固定电位区（7）和沟道（9）设置在源极-衬底连接层（4）上，源极（8）设置在固定电位区（7）上，所述漂移区（5）设置外延层（3）上，并与所述沟道（9）相连接，沟道（9）两侧分别连接源极（8）和漂移区（5）；所述源极-衬底连接层（4）连接源极（8）和衬底（2）；

源极-沟道连接区（22）设置在固定电位区（7）上，绝缘层（10）覆盖在漂移区（5）、沟道（9）和源极（8）上，栅极（20）设置在绝缘层（10）上，栅极金属硅化物（21）设置在所述栅极（20）上，非晶硅（12）设置在漂移区（5）上，所述栅极（20）与所述非晶硅（12）之间设置有SiO₂层（23）；所述源极-沟道连接区（22）连接源极（8）和固定电位区（7），固定电位区（7）与沟道（9）相连接；

所述非晶硅（12）包括横向延伸结构和纵向延伸结构，所述纵向延伸结构与漂移区（5）相接触，所述横向延伸结构设置在所述SiO₂层（23）上；

所述金属硅化物（17）设置在所述非晶硅（12）上，所述金属硅化物（17）通过非晶硅（12）与漏极（15）相连。

2.根据权利要求1所述的RF-LDMOS自对准的漏端场板结构，其特征在于，

所述衬底（2）的电阻率为0.005-0.05Ω?cm，所述外延层（3）的电阻率为10-100Ω?cm。

3.根据权利要求1所述的RF-LDMOS自对准的漏端场板结构，其特征在于，源极（8）和漏极（15）的掺杂浓度为10¹⁹/cm³以上。

4.根据权利要求1所述的RF-LDMOS自对准的漏端场板结构，其特征在于，源极-沟道连接区（22）为金属或者是金属硅化物，用来连接源极（8）和固定电位区（7）。

5.根据权利要求1所述的RF-LDMOS自对准的漏端场板结构，其特征在于，所述横向延伸结构，形成漏极场板，所述横向延伸结构与SiO₂层（23接触面的长度（a）大于SiO₂层（23）和绝缘层（10）厚度之和（b）。

6.根据权利要求1所述的RF-LDMOS自对准的漏端场板结构，其特征在于，所述SiO₂层（23）和绝缘层（10）与所述非晶硅（12）的接触面为斜面。

7.一种RF-LDMOS自对准的漏端场板结构的制作方法，其特征在于，具体包括以下步骤：

S01，通过自对准方式形成漏极：刻蚀绝缘层（10）和SiO₂层（23）形成窗口，然后进行N型注入，由于刻蚀绝缘层（10）和SiO₂层（23）的阻挡作用，仅在窗口区才会有离子进入体内，从而形成漏极（15）；

S02，漏极（15）形成以后，在缘层（10）和SiO₂层（23）的远离栅极（20）的端部沉积上一层非晶硅（12）；

S03，在非晶硅（12）上面，沉积一层金属硅化物（17）;

S04，在步骤S03所述的金属硅化物（17）上完成CT和金属连线。