[发明专利]一种半导体存储器件及其制备方法、电子装置在审
申请号: | 201410395303.8 | 申请日: | 2014-08-12 |
公开(公告)号: | CN105448838A | 公开(公告)日: | 2016-03-30 |
发明(设计)人: | 杨芸 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/8247 | 分类号: | H01L21/8247;H01L27/115 |
代理公司: | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人: | 高伟;冯永贞 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 半导体 存储 器件 及其 制备 方法 电子 装置 | ||
技术领域
本发明涉及半导体存储器件,具体地,本发明涉及一种半导体存储器件及其制备方法、电子装置。
背景技术
随着便携式电子设备的高速发展(比如移动电话、数码相机、MP3播放器以及PDA等),对于数据存储的要求越来越高。非易失闪存由于具有断电情况下仍能保存数据的特点,成为这些设备中最主要的存储部件,其中,由于闪存(flashmemory)可以达到很高的芯片存储密度,而且没有引入新的材料,制造工艺兼容,因此,可以更容易更可靠的集成到拥有数字和模拟电路中。
NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术,NOR闪存(Flash)器件属于非易失闪存的一种,其特点是芯片内执行,这样应用程序可以直接在Flash闪存内运行,不必再把代码读到系统RAM(随机存储器)中,从而使其具有较高的传输效率。
随着半导体技术的不断发展,器件尺寸不断缩小,对于NOR闪存来说,其尺寸进一步缩小的主要限制为单元高度(cellheight),其中主要要素是漏极区域以及栅极;由于在沟道热电子(ChannelHotElectron,CHE)效应所述NOR闪存单元需要较高的电压,因此其中栅极长度的缩放对于NOR闪存来说一个挑战,随着栅极长度的减小,器件的击穿问题(Devicepunchthrough)变得更加容易。
因此,需要对目前所述器件及其制备方法作进一步的改进,以便消除上述问题。
发明内容
在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念,这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本发明的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征,更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。
为了解决现有技术中存在的问题,提供了一种半导体存储器件的制备方法,包括:
步骤S1:提供半导体衬底,在所述半导体衬底上形成有栅极结构;
步骤S2:在所述栅极结构的侧壁上形成第一间隙壁,并执行LDD注入,以在所述栅极结构两侧的所述半导体衬底中形成LDD区域;
步骤S3:去除所述第一间隙壁,露出所述栅极结构;
步骤S4:在所述栅极结构的侧壁上形成第二间隙壁,并执行源漏注入,以在所述半导体衬底中形成源漏极。
可选地,所述第二间隙壁的厚度大于所述第一间隙壁的厚度。
可选地,在所述步骤S3中,在去除所述第一间隙壁之后,所述方法还进一步包括执行湿法清洗的步骤。
可选地,在所述步骤S1中,所述栅极结构包括位于栅极介电层上方的浮栅、隔离层和控制栅。
可选地,所述步骤S1包括:
步骤S11:提供半导体衬底,在所述半导体衬底上形成有栅极介电层;
步骤S12:在所述栅极介电层上依次形成浮栅材料层、隔离材料层和控制栅材料层;
步骤S13:图案化所述浮栅材料层、所述隔离材料层和所述控制栅材料层,以形成所述栅极结构。
可选地,在所述步骤S1中,在形成所述栅极结构之后还进一步包括对所述栅极结构进行氧化的步骤。
可选地,在所述步骤S2中,所述第一间隙壁层选用聚合物材料层。
可选地,所述步骤S2包括:
步骤S21:在所述半导体衬底和所述栅极结构上沉积第一间隙壁材料层;
步骤S22:图案化所述第一间隙壁材料层,以在所述栅极结构的侧壁上形所述第一间隙壁。
可选地,在所述步骤S22之后还进一步包括:
步骤S23:在所述半导体衬底上形成图案化的LDD注入掩膜层;
步骤S24:以所述LDD注入掩膜层为掩膜执行LDD离子注入,以形成所述LDD区域;
步骤S25:去除所述LDD注入掩膜层。
可选地,所述步骤S4包括:
步骤S41:在所述半导体衬底上形成源漏注入掩膜层;
步骤S42:以所述源漏注入掩膜层为掩膜,执行源漏注入,以形成所述源漏极。
本发明还提供了一种基于上述的方法制备得到的半导体器件。
本发明还提供了一种电子装置,包括上述的半导体器件。
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