[发明专利]一种含有云母粉的LED封装材料及其制备方法在审
申请号: | 201410395295.7 | 申请日: | 2014-08-12 |
公开(公告)号: | CN104152740A | 公开(公告)日: | 2014-11-19 |
发明(设计)人: | 沈金鑫 | 申请(专利权)人: | 铜陵国鑫光源技术开发有限公司 |
主分类号: | C22C9/00 | 分类号: | C22C9/00;C22C1/05;H01L33/56 |
代理公司: | 无 | 代理人: | 无 |
地址: | 244199 安徽省铜*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 含有 云母粉 led 封装 材料 及其 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及LED封装材料技术领域,尤其涉及一种含有云母粉的LED封装材料及其制备方法。
背景技术
LED是一种固态半导体组件,具有高效节能、绿色环保和使用寿命长等等显著特点,广泛应用于信号指示、照明、背光源等电路中。作为继白炽灯、日光灯、高压气体灯后的第四代光源,LED在照明市场上应用前景尤其备受各国瞩目。
对于功率型LED,在系统散热方面,选择合适的基板,对其散热性和可靠性具有重要影响,功率型LED散热基板材料要求具有高电绝缘性、高稳定性、高导热性及芯片匹配的热膨胀系数、平整性和较高的强度。
云母,具有较高的绝缘强度和抗电弧、耐电晕等优良的介电性能,而且质地坚硬,机械强度高,耐高温、有光泽,物理化学性能稳定,另外,折射率高,热膨胀系数低。
发明内容
本发明的目的是克服现有技术的不足,提供一种含有云母粉的LED封装材料,具有优异的电绝缘性、稳定性、导热性和较小的热膨胀系数,而且平整性高、强度高。
本发明的另一目的是提供一种含有云母粉的LED封装材料的制备方法。
为了实现上述目的本发明采用如下技术方案:
一种含有云母粉的LED封装材料,该材料由云母粉和铜粉按质量比为1:3-5的比例组成。
所述的云母粉的颗粒大小为100-300um,铜粉的颗粒大小为50-200um。
所述的含有云母粉的LED封装材料的制备方法,包括以下制备步骤:
(1)将云母粉和粘结剂按体积比为1:5-8的比例混合均匀,采用冷等静压工艺压制成型,然后在真空条件下去除粘结剂,得到半成品;
(2)再用铜粉包覆半成品,装入模具,放入放电等离子烧结炉中进行放电等离子烧结,先抽真空20-40分钟,加压80-100MPa,升温至300-500℃,保温2-3小时,再升温在700-900℃,保温10-20分钟,然后进行退火,先冷却到300-500℃,保温3-5小时,再自然冷却,最后取样脱模;
(3)将步骤(2)制备的样品放入热等静压烧结炉中进行热等静压烧结,先在氩气氛围下,加压至150-180MPa,温度升至700-900℃,保温3-5小时,然后进行退火,先冷却到300-500℃,保温3-5小时,再自然冷却,即得封装材料。
与已有技术相比,本发明的有益效果如下:
本发明采用云母粉和铜混合制备的封装材料具有优异的电绝缘性、稳定性、导热性和较小的热膨胀系数,而且平整性高、强度高;制备方法中先采用放电等离子烧结,再采用热等静压烧结,大大提高了封装材料的致密性和结合度,进而提升材料的导热性能。
具体实施方式
以下结合实施例对本发明作进一步的说明,但本发明不仅限于这些实施例,在未脱离本发明宗旨的前提下,所作的任何改进均落在本发明的保护范围之内。
实施例1:
一种含有云母粉的LED封装材料,由粒径为100um的云母粉和粒径为200um的铜粉组成,质量比为1:3。
制备方法:先将云母粉和聚乙烯醇按体积比为1:5的比例混合均匀,放入冷等静压机,加压至300MPa,保压10分钟,在真空条件下去除粘结剂,再用铜粉包覆,装入模具,放入放电等离子烧结炉中进行放电等离子烧结,先抽真空20分钟,加压80MPa,升温至300℃,保温3小时,再升温在700℃,保温20分钟,然后进行退火,先冷却到300℃,保温5小时,再自然冷却,取样脱模;再将制备的样品放入热等静压烧结炉中进行热等静压烧结,先在氩气氛围下,加压至150MPa,温度升至700℃,保温5小时,然后进行退火,先冷却到300℃,保温5小时,再自然冷却,即得封装材料。
实施例2:
一种含有云母粉的LED封装材料,由粒径为200um的云母粉和粒径为100um的铜粉组成,质量比为1:4。
制备方法:先将云母粉和聚乙烯醇按体积比为1:7的比例混合均匀,放入冷等静压机,加压至400MPa,保压5分钟,在真空条件下去除粘结剂,再用铜粉包覆,装入模具,放入放电等离子烧结炉中进行放电等离子烧结,先抽真空30分钟,加压90MPa,升温至400℃,保温3小时,再升温在800℃,保温20分钟,然后进行退火,先冷却到400℃,保温5小时,再自然冷却,取样脱模;再将制备的样品放入热等静压烧结炉中进行热等静压烧结,先在氩气氛围下,加压至160MPa,温度升至800℃,保温4小时,然后进行退火,先冷却到400℃,保温4小时,再自然冷却,即得封装材料。
实施例3:
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