[发明专利]宇航用GaAsMMIC器件加电装置

说明书

技术领域

本发明涉及电压加电控制电路的设计，尤其涉及一种宇航用GaAsMMIC器件加电装置。

背景技术

随着无线局域网、个人移动通信系统、用户直接卫星通信和全球定位系统等军用和民用通信系统的快速发展，以及有源相控阵雷达、宽带电子对抗和毫米波精确制导等先进武器系统的需求，高性能和高可靠的GaAsMMIC获得了飞速发展。因为GaAsMMIC能满足微波整机系统向多功能、小型化和高可靠方向发展的要求；体积小、重量轻；在单片上能实现系统功能；没有分立器件的寄生效应而使频率和带宽性能优异；标准工艺以及能在单片上集成全部有源和无源元件而使其可重复性好、可靠性高和成本低。在国防高科技领域和民用通信应用中已起到十分重要的作用。

在场效应晶体管中，当没有栅-源电压而给漏极加正电压时，电子通过有源薄层由源级向漏极流动。当漏极电压足够大时，电子漂移速度达到其最大值，电流开始饱和，晶体管热耗增大，易造成器件失效。因此对于GaAsMMIC来说，必须在保证负电压正常输入的情况下，再输入正电压，以防止器件损伤。

发明内容

本发明要解决的技术问题是如何提高GaAsMMIC器件加电可靠性和稳定性。

为了解决这一技术问题，本发明提供了一种宇航用GaAsMMIC器件加电装置，包括正电压输入端、负电压输入端、正负压保护电路、温度补偿栅极稳压电路、漏极电压输出端和栅极电压输出端；所述正电压输入端与负电压输入端经所述正负压保护电路与所述漏极电压输出端连接，所述负电压输入端经所述温度补偿栅极稳定电压与栅极电压输出端连接，所述栅极电压输出端用以对GaAsMMIC器件的栅极充电；所述漏极电压输出端用以对GaAsMMIC器件的漏极充电，所述正负压保护电路用以仅当正电压输入端和负电压输入端同时输入电压时，才导通所述漏极电压输出端输出电压。

所述正负压保护电路至少包括了稳压二极管和PMOS管，所述负电压输入端通过所述稳压二极管连接至所述PMOS管的栅极，所述正电压输入端连接至所述PMOS管得源极，所述PMOS管的漏极与所述漏极电压输出端连接。

所述温度补偿栅极稳压电路采用射极跟随器，所述射极跟随器的基极连接所述负电压输入端，所述射极跟随器的发射极连接所述栅极电压输出端。

所述射极跟随器包括了第一三极管、第二三极管和若干负载电阻，所述第一三极管的集电极与基极之间并联第一负载电阻，且所述第一负载电阻的一端和第一三极管的集电极共同接于所述负电压输入端；所述第二三极管的集电极和基极均连接于所述第一三极管的基极，所述第二三极管的发射极连接第二负载电阻的一端，所述第二负载电阻的另一端连接第三负载电阻的一端，所述第一三极管的发射极一方面连接第四负载电阻的一端，另一方面连接第五负载电阻的一端，所述第五负载电阻的另一端连接至所述栅极电压输出端，所述第三负载电阻的另一端与第四负载电阻的另一端均接地。

所述射极跟随器还包括第一电容和第二电容，所述第一电容的一端连接所述第二三极管的基极，所述第一电容的另一端接地，所述第二电容的一端连接所述第五负载电阻的连接所述栅极电压输出端的一端，所述第二电容的另一端接地。

所述第一三极管和第二三极管均为PNP管。

本发明一方面通过正负压保护电路的设置有效地避免了GaAsMMIC器件由于加电顺序错误而导致的烧毁现象的发生，提高了GaAsMMIC器件加电的可靠性。本发明另一方面还通过温度补偿栅极稳压电路有效地提高了GaAsMMIC器件栅极电压的稳定性。可见，本发明有效提高了GaAsMMIC器件加电可靠性和稳定性。此外，其具有电路简单，易实现的特点，并具有一定的通用性，可广泛应用于卫星通信、雷达、测控、导航、对抗等电子系统中。

附图说明

图1是本发明一实施例提供的宇航用GaAsMMIC器件加电装置的模块示意图；

图2是本发明一实施例提供的宇航用GaAsMMIC器件加电装置的电路图。

具体实施方式

以下将结合图1和图2对本发明提供的宇航用GaAsMMIC器件加电装置进行详细的描述，其为本发明一可选的实施例，可以认为，本领域的技术人员在不改变本发明精神和内容的范围内能够对其进行修改和润色。