[发明专利]显示装置及其制造方法有效
| 申请号: | 201410389718.4 | 申请日: | 2014-08-08 |
| 公开(公告)号: | CN104425552B | 公开(公告)日: | 2017-08-01 |
| 发明(设计)人: | 郑障均;李树雄;韩和东;金会龙;姜京润;张玄洙 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56;H01L51/50;H01L51/52 |
| 代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司11127 | 代理人: | 吕俊刚,刘久亮 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 显示装置 及其 制造 方法 | ||
技术领域
本公开的实施方式涉及一种显示装置。更具体地,这些实施方式涉及一种显示装置及其制造方法。
背景技术
目前,已经开发了能够减少重量和体积以及阴极射线管(CRT)的缺点的各种平板显示装置。平板显示装置的示例包括:液晶显示器(LCD)、场发射显示器(FED)、等离子体显示面板(PDP)和有机发光显示装置。
图1是例示作为现有技术的显示装置的示例的有机发光显示装置的平面图,并且图2是图1中区域D的截面图。参照图1,在有机发光显示装置中,显示图像的有源区域A/A形成在基板10上,并且发送来自数据IC 20的数据信号的数据线25被布置在有源区域A/A附近,并且发送来自选通IC 30的选通信号的选通线35被布置为与数据线25交叉。被布置为与数据线25平行的数据电源线40和被布置为与选通线35平行的选通电源线45交叉,以构成电源单元60。
这里,对于其中选通电源线45与数据电源线40交叉的电源单元60的截面,选通电源线45位于基板10上,栅绝缘层37位于选通电源线45上,并且数据电源线40顺序堆叠在栅绝缘层37上。钝化层50位于数据电源线40上,以保护下部元件不受外部影响。
然而,如图2所示,在执行有机发光显示装置的后续处理的同时,频繁刺伤或划伤电源单元60。由此,数据电源布线40穿透栅绝缘层37与选通电源线45接触,从而产生短路,并且由此不提供电力,从而造成有缺陷的面板驱动。
发明内容
本发明的一个方面提供一种能够防止由于非显示区域中的冲击而引起短路缺陷的显示装置,以及提供用于制造该显示装置的方法。
在一个方面中,提供一种显示装置,所述显示装置包括:基板,所述基板包括显示区域和非显示区域,其中,所述非显示区域包括:选通金属线,所述选通金属线位于所述基板上;栅绝缘层,所述栅绝缘层使选通金属线绝缘;数据金属线,所述数据金属线位于所述栅绝缘层上;以及至少两个保护层,所述至少两个保护层位于所述选通金属线和所述数据金属线交叠的区域中,位于所述数据金属线上方。
在另一个方面中,提供一种用于制造显示装置的方法,所述方法包括以下步骤:制备包括显示区域和非显示区域的基板;在所述非显示区域中形成选通金属线;在所述选通金属线上形成栅绝缘层;在所述栅绝缘层上形成数据金属线;在所述数据金属线上形成保护层,其中,所述保护层形成在所述选通金属线与所述数据金属线交叠的区域中。
附图说明
附图被包括以提供对本发明的进一步理解,并被并入且构成本说明书的一部分,附图例示了本发明的实施方式,并且与说明书一起用于解释本发明的原理。在附图中:
图1是例示作为现有技术的显示装置的示例的有机发光显示装置的平面图。
图2是图1中区域D的截面图。
图3是例示根据本发明的实施方式的显示装置的平面图。
图4至图6是例示图3的显示装置的显示区域和非显示区域的截面图。
图7a至图7c是例示用于制造根据本发明的实施方式的显示装置的方法的顺序工艺的截面图。
图8和图9是例示根据本发明的实施方式的显示装置的保护层的不同位置的平面图。
图10是例示根据本发明的实施方式的液晶显示(LCD)装置的截面图。
具体实施方式
现在将详细描述本发明的实施方式,在附图中例示了本发明的实施方式的示例。在可能的情况下,在整个附图中将使用相同的附图标记来指代相同或类似的部件。应注意的是,如果确定现有技术可能误导本发明的实施方式,则省略该现有技术的详细描述。
图3是例示根据本发明的实施方式的显示装置的平面图。下文中,将描述有机发光显示设备作为本发明的显示装置的示例。然而,本发明不限于此。
参照图3,施加选通信号的选通IC 120和施加数据信号的数据IC 130分别位于基板110上。传输来自选通IC 120的选通信号的选通线125被布置为在基板110的一个方向上,并且传输来自数据IC 130的数据信号的数据线135被布置为与数据线125交叉。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





