[发明专利]具有结构补偿区域的多层共烧陶瓷电路基板及多层基板的制作方法

权利要求书

1.一种具有结构补偿区域的多层共烧陶瓷电路基板，包括根据设计图纸的各层生瓷的导体通孔、导体图形和腔体；其特征在于：在电路基板区域的外围设置宽度范围为0.2～15mm的结构补偿区域，在结构补偿区域中均匀布置补偿导体通孔或补偿导体图形。

2.根据权利要求1所述多层共烧陶瓷电路基板，其特征在于：所述导体通孔的孔径为0.05mm～0.5mm，导体通孔的中心间距为2～10倍通孔的孔径。

3.根据权利要求1所述多层共烧陶瓷电路基板，其特征在于：所述导体图形的填充率为电路基板区域导体图形填充率的0.2～5倍。

4.一种利用权利要求1～3所述任一项具有结构补偿区域的多层共烧陶瓷电路基板制作多层共烧陶瓷电路基板的方法，其特征在于步骤如下：

步骤1：根据设计图纸制作各层生瓷的导体通孔、导体图形和腔体，形成电路基板区域；

步骤2：在电路基板区域的外围留置宽度范围为0.2～15mm的结构补偿区域；

步骤3：在补偿区域中均匀布置导体通孔或导体图形；

步骤4：采用常规的填孔、印刷、叠层、层压和烧结的工艺路线和工艺方法进行加工；

步骤5：在烧结后在分片工艺步骤中，通过分片的方式去除结构补偿区域，获得多层共烧陶瓷电路基板。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于：所述步骤3中导体通孔的孔径为0.05mm～0.5mm，导体通孔的中心间距为2～10倍通孔的孔径。

6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于：所述步骤3中导体图形的填充率为电路基板区域导体图形填充率的0.2～5倍。

7.根据权利要求4所述的方法，其特征在于：所述步骤4进行填孔工艺时，结构补偿区域中导体通孔的填孔材料与该层电路基板有效区域中导体通孔的填孔材料相同，或与生瓷材料体系匹配。

8.根据权利要求4所述的方法，其特征在于：所述步骤4进行填孔工艺时，结构补偿区域中导体图形的材料与该层电路基板有效区域中导体图形的材料相同，或与生瓷材料体系匹配。