[发明专利]高效抗PID双玻光伏组件无效
申请号: | 201410389468.4 | 申请日: | 2014-07-31 |
公开(公告)号: | CN104157711A | 公开(公告)日: | 2014-11-19 |
发明(设计)人: | 万小强;高杨 | 申请(专利权)人: | 江西瑞晶太阳能科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/048 | 分类号: | H01L31/048 |
代理公司: | 无 | 代理人: | 无 |
地址: | 338000 江西*** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 高效 pid 双玻光伏 组件 | ||
技术领域:本发明涉及一种改进的太阳能光伏组件,特别是一种高效抗PID双玻光伏组件。
背景技术:在现有的光伏组件中,如双玻光伏组件,它的结构(从上至下的叠放顺序)一般是:透明钢化玻璃、普通EVA(或PVB,以下同)胶膜、晶体硅电池片、普通EVA胶膜、透明钢化玻璃,然后通过硅胶条或3M无边框防护胶带对组件边缘密封进行封装处理。该种双玻光伏组件虽然有机械性能、防火、抗盐雾、酸碱和沙尘等耐候性能较好,电池片不容易出现隐裂且适合安装在某些特定恶劣环境条件下的区域等优点,但在使用中也存在一定的不足:1、容易出现PID现象,即,该组件长期在高强度负电压作用下,特别是在野外高温潮湿或逆变器阵列接地方式不同的环境中,就会出现组件功率衰减,性能降低,进而影响整个系统发电能力和总输出功率的现象;2、光电转化率不高,一般在15%以下,其原因主要在于该组件是采用两层相同的普通EVA胶膜进行封装,而上表面普通EVA胶膜透光率较低,通常低于91%,且下表面普通EVA胶膜由于是透明不具备反光性,所以,通过该胶膜到达晶体硅电池片上的光子量被阻挡减少;另外,就是穿过晶体硅电池片的部分光子不能被胶膜层反射回收利用,也损失了光子的二次利用,这两个方面使得双玻光伏组件在光电转化方面损失较大。
发明的内容:本发明的目的在于,针对现有双玻光伏组件在使用中存在的容易出现PID现象,光电转化率不高的不足,而提出一种具有抗PID性能且可提高光电转化率的高效抗PID双玻光伏组件。
通过下述技术方案可实现本发明的目的,一种高效抗PID双玻光伏组件,其特征在于,它包括超白压花钢化玻璃、高透EVA(或PVB,以下同)胶膜、晶体硅电池片、玻璃纤维无纺薄毡、白色EVA胶膜、普通钢化玻璃、硅胶条;组件由以下各层从上至下层叠:超白压花钢化玻璃、高透EVA胶膜、晶体硅电池片、玻璃纤维无纺薄毡、白色EVA胶膜、普通钢化玻璃,层叠后的组件边缘用硅胶条通过层压工艺进行边缘封装,或层压后通过贴3M无边框防护胶带进行边缘封装。
高透EVA胶膜的透光率>93%,厚度0.38mm~0.60mm。
白色EVA胶膜的厚度0.38mm~0.60mm。
玻璃纤维无纺薄毡层的厚度为0.05~0.20mm。
超白压花钢化玻璃和普通钢化玻璃的厚度均为2~6mm。
本发明的效果在于:1、具有抗PID性能,经在85%的湿度、85℃的温度、-1000伏的系统偏压、持续96小时的严格恶劣实验条件下进行测试,本组件的功率衰减不超过2%(参见测试结果);这在于,本组件中设置了玻璃纤维无纺薄毡所致,因玻璃纤维无纺薄毡(Craneglas)具有水汽阻隔性、绝缘性和抗水解性,它能有效阻隔EVA和玻璃表面的离子聚集在到电池表面,从而抑制在组件中产生PID现象,达到光伏组件抗PID的效果;2、可提高光伏组件1.5~2.5%的整体输出功率,这在于,本发明将现有光伏组件中的两层普通EVA胶膜替换成为高透EVA胶膜和白色EVA胶膜,从而使得本发明可在现有光伏组件基础上提高整体输出功率;其一是高透EVA胶膜可以让更多光子穿透过其身到达电池片表面,增加了发生反应的光子数量,因为高透EVA胶膜层的透光率>93,而普通EVA胶膜的透光率<91%,即有多于2%的光子数量到达电池片表面;其二是白色EVA具有很好的反射作用,它可以将穿过电池片的光子重新反射回电池片上再次利用,从而间接增加发生反应的光子数量;另外,本组件的各项性能大大超过了IEC61215和UL1703等国际标准要求,相比于常规晶体硅光伏组件,还具有最高防火等级Class A,双85老化实验、湿热循环老化实验、湿冻循环老化实验及盐雾实验等都高于标准2倍性能以上,组件正反面承受的机械载荷能力大于6500Pa,具有优秀的机械载荷及防隐裂能力。
附图说明:
附图1为本发明的剖视结构示意图。
下面结合附图及实施例对本发明进一步阐述:
具体实施方式:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的