[发明专利]一种高TCR低方阻线性NTC电阻浆料的制备方法有效
申请号: | 201410389400.6 | 申请日: | 2014-07-31 |
公开(公告)号: | CN105321642B | 公开(公告)日: | 2017-12-08 |
发明(设计)人: | 庞锦标;郭明亚;李程峰;韩玉成;朱威禹;黄伟训;金矛 | 申请(专利权)人: | 中国振华集团云科电子有限公司 |
主分类号: | H01C7/04 | 分类号: | H01C7/04 |
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地址: | 550000 贵州省*** | 国省代码: | 贵州;52 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 tcr 低方阻 线性 ntc 电阻 浆料 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及属于线性负温度系数(NTC)热敏电阻的应用领域,具体为一种高TCR低方阻线性NTC电阻浆料的制备方法。
背景技术
NTC热敏电阻材料是指电阻率随温度升高而下降的一类材料[1]PARKK.Structural and electrical properties of FeMg0.7Cr0.6Co0.7-xAlxO4(0≤x≤0.3)thick film NTC thermistors IJ.JEurCeramSoc,2006,26(6):909-914.[2]BASUA.BRINK MANAW,HASHIMITNTC characteristics of bismuth based ceramic at high temperature,JIntJlnorgMater,2001,3:1219-1221.,其中NTC热敏电阻又分为线性和非线性NTC两种,非线性NTC阻值随温度降低呈指数下降,用于测温、控温和温度补偿很不方便,而线性NTC与温度关系接近于直线,能有效解决这些问题,同时线性NTC浆料还用在温补衰减器等新型高频电子元件领域。
目前,线性敏感陶瓷的制备方法主要采用CdO-SnO2-WO3及CdO-SnO2-WO3系列材料,烧结温度在1100℃以上,由于厚膜工艺平台烧结温度一般在850℃以下,因此这两种体系难以做成线性NTC浆料。美国的Hormadaly等人以二氧化钌为主要原料,添加少量的氧化钴等过渡金属氧化物研制了厚膜NTC浆料[3]Hormadaly,Jacob.Thick Film NTC Thermistor.US.Patent:5122302,1992,6.[4]Hormadaly,Jacob.Themistor Composition.us.Patent:4961999,1990,10.;国内的西京宏星电子浆料公司采用钌酸铋与焦(正)铌酸镉形成固溶体结构,可得到方阻100Ω/口~10MΩ/口、TCR为:-1000ppm/℃~-6000ppm/℃的NTC电子浆料。但是以上方法制备线性NTC浆料所用到的贵金属二氧化钌的量均较大,使得线性NTC浆料成本较高,同时还普遍存在TCR范围较窄或方阻较大的问题,使得浆料大规模生产应用受限。
因而,寻求一类低成本的线性NTC电阻材料体系,制备一系列不同TCR、方阻的线性NTC电阻浆料至关重要,同时,需要保证浆料方阻很低以及TCR较大,是一项关键技术,需要对线性NTC热敏电阻浆料的导电机理、电阻温度效应、多组分材料结构模型及多材料组分之间的相互作用进行基础研究。
发明内容
本发明的目的是在于克服现有制备线性NTC浆料技术的不足,从基本原材料体系着手,提供一种高TCR低方阻线性NTC电阻浆料的制备方法,以解决上述背景技术中线性NTC浆料中贵金属的含量高,线性敏感陶瓷难以做成线性NTC浆料和浆料大规模生产应用受限的问题。
为实现上述目的,本发明提供如下技术方案:
一种高TCR低方阻线性NTC电阻浆料的制备方法,包括以下步骤:
(1)配备初始的反应溶液:
确定锰、镍、铜非线性NTC材料体系,按摩尔配方Mn:1.0~1.65,Ni:0.65~1.0Cu:0.7~1.0,将硝酸锰、硝酸镍和硝酸铜混合,并向混合物中加去离子水,得到反应前含锰、镍和铜离子的水溶液,即为初始的反应溶液;
(2)制备非线性NTC陶瓷的反应前驱物,具体包括以下子步骤:
a、将得到的初始的反应溶液进行搅拌,搅拌温度为30~60℃,搅拌速度为200rpm,并在搅拌过程中向初始的反应溶液中滴加碳酸钾溶液,使初始的反应溶液中的硝酸锰、硝酸镍和硝酸铜与碳酸钾充分反应,生成沉淀;
b、对步骤a所得沉淀用去离子水反复清洗至PH值在7~8之间,然后过滤,烘干,粉碎过筛;
c、将步骤b中的所得的过筛物料在600~1000℃煅烧1~2小时,得到非线性NTC陶瓷的反应前驱物;
(3)轧制线性NTC浆料:
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