[发明专利]磷光金属配位化合物，含其的发射辐射元件和其制备方法

权利要求书

1.一种磷光金属配位化合物，该化合物包含至少一个金属中心原子M和至少一个与该金属中心原子M配位的二配位基配体，其中

-所述金属中心原子M和所述二配位基配体形成六元金属环

-与所述金属中心原子形成六元金属环的所述二配位基配体在未配位状态下具有可互变异构的单元，和

-所述金属中心原子M选自Ir、Pt、Au、Re、Rh、Ru、Os、Pd、Ag、Zn、Al和镧系元素，其中

该化合物具有下述结构式，

其中，满足以下条件：

n＝1至3，

Y＝C-H、N、P、As、Sb、C-R_y、Si-R_y、Ge-R_y，

X＝N、O、P、As、Sb，

Z＝C、Si、Ge，

X₅、X₆、X₇和X₈彼此独立地是C-R，或者当R₁₅、R₆、R₇或R₈包含自由电子对时，彼此独立地是N，

R、R₁、R₂、R₃、R_y、R₁₅、R₆、R₇和R₈彼此独立地选自H、直链烷基、支链烷基、稠合烷基、环烷基、完全或部分取代的直链烷基、完全或部分取代的支链烷基、完全或部分取代的稠合烷基、完全或部分取代的环烷基、烷氧基、胺、酰胺、酯、碳酸酯、芳族化合物、完全或部分取代的芳族化合物、稠合芳族化合物、完全或部分取代的稠合芳族化合物、杂环、完全或部分取代的杂环、稠合杂环、完全或部分取代的杂环、F和CN。

2.根据前述权利要求的化合物，其中所述配体是卡宾-配体。

3.根据前述权利要求的化合物，其中R₁和R₂、R₂和R₃、R₁₅和R₆、R₆和R₇、R₇和R₈、R₈和R_y或者R_y和R₃中的至少其一相互成桥。

4.根据权利要求1的化合物，其中所述可互变异构的单元具有选自-C(H,R)-或-N(H)-的结构单元，并且与缺电子的和富电子的芳族化合物连接。

5.根据权利要求1的化合物，该化合物是多核的，并且具有至少两个金属中心原子M。

6.根据前述权利要求的化合物，其中所述至少两个金属中心原子M通过金属-金属-相互作用而相互连接。

7.根据权利要求5或6之一的化合物，其中所述至少两个金属中心原子M通过至少一个额外的桥配体进行连接。

8.一种制备根据权利要求1至7中任一项的磷光金属配位化合物的方法，包括以下方法步骤

A)提供金属中心原子的中心原子化合物，其含有与该中心原子配位的交换配体，

B)以化学计量比混合所述中心原子化合物和溶于第一溶剂中的配体，以形成金属配位化合物，其中所述交换配体被所述配体置换，并且所述配体具有可互变异构的单元，并在脱除质子情况下与中心原子形成六元金属环。

9.一种发射辐射的元件，包括

-衬底，

-所述衬底上的第一电极层，

-所述第一电极层上的至少一层有机发射层，和

-所述有机发射层上的第二电极层，

其中所述有机发射层包含磷光金属配位化合物，其中所述磷光金属配位化合物包含至少一个金属中心原子M和至少一个与该金属中心原子M配位的二配位基配体，

-其中所述金属中心原子M和所述二配位基配体形成六元金属环

-其中与所述金属中心原子形成六元金属环的所述二配位基配体在未配位状态下具有可互变异构的单元，和

-其中所述金属中心原子M选自Ir、Pt、Au、Re、Rh、Ru、Os、Pd、Ag、Zn、Al和镧系元素，其中

该化合物具有下述结构式，

其中，满足以下条件：

n＝1至3，

Y＝C-H、N、P、As、Sb、C-R_y、Si-R_y、Ge-R_y，

X＝N、O、P、As、Sb，

Z＝C、Si、Ge，

R₁、R₂、R₃、R_y、R₄和R₅彼此独立地选自H、直链烷基、支链烷基、稠合烷基、环烷基、完全或部分取代的直链烷基、完全或部分取代的支链烷基、完全或部分取代的稠合烷基、完全或部分取代的环烷基、烷氧基、胺、酰胺、酯、碳酸酯、芳族化合物、完全或部分取代的芳族化合物、稠合芳族化合物、完全或部分取代的稠合芳族化合物、杂环、完全或部分取代的杂环、稠合杂环、完全或部分取代的杂环、F和CN。