[发明专利]有机发光显示装置及其制造方法有效
申请号: | 201410387820.0 | 申请日: | 2014-08-08 |
公开(公告)号: | CN104681579B | 公开(公告)日: | 2018-06-08 |
发明(设计)人: | 李在暎;朴埈远;李相炘;许海利;许训会;金智珉 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 吕俊刚;刘久亮 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 密封结构 有机发光显示装置 薄膜晶体管阵列 有机发光器件 发光阵列 像素区域 支承基板 保护层 密封层 粘附 有机发光显示 薄膜晶体管 软材料 粘合层 阻挡层 基板 制造 | ||
提供了一种有机发光显示装置及其制造方法。该有机发光显示OLED装置包括:薄膜晶体管阵列(TFT)基板,该薄膜晶体管阵列(TFT)包括:支承基板,其包括软材料;和多个薄膜晶体管,其在支承基板上并且与多个像素区域相对应,该OLED装置还包括:发光阵列(LEA),该发光阵列(LEA)包括多个有机发光器件,所述多个有机发光器件在TFT阵列基板上与所述多个像素区域相对应;密封结构,其面对TFT阵列基板,使得LEA插入在TFT阵列基板和密封结构之间;以及粘合层,其在LEA与密封结构之间,以将LEA粘附到密封结构,其中,密封结构包括:在LEA上的保护层、在TFT阵列基板上方的密封层以及将保护层粘附到密封层的阻挡层。
技术领域
以下描述涉及可用作柔性显示装置的有机发光显示装置及其制造方法。
背景技术
近期向信息社会的转变已经使得视觉呈现电信息信号的显示器领域得到快速发展,并且已经相应地开发了呈现极好属性(诸如薄剖面、轻重量以及低功率消耗)的各种平板显示装置。
这些平板显示装置的代表性示例可以包括:液晶显示器(LCD)、等离子体显示板(PDP)、场发射显示器(FED)、电致发光显示器(ELD)、电润湿显示器(EWD)以及有机发光显示装置。
所有的上述平板显示装置中基本上包括平坦显示板以显示图像。通过结合一对基板以面对彼此来制造平显示板,其中固有发光材料或偏光器插入这一对基板之间。平板显示器包括显示面,显示面由显示区域和在该显示区域周围的周边非显示区域所限定。显示区域由多个像素区域限定。
最近,已开发一种平板显示装置(柔性显示装置),其包括由软材料形成的柔性基板,从而能够在可像一张纸一样弯曲时维持显示性能。
这样的柔性显示装置可以具有比没有柔性的常规显示装置更广泛的应用范围,并且因此对柔性显示装置的商业化的研究和开发正在进行。
同时,有机发光显示装置被构造成使用自发光有机发光器件来显示图像。也就是说,有机发光显示装置包括与多个像素区域相对应的多个有机发光器件。
通常,这样的有机发光器件包括:布置成面对彼此的第一电极和第二电极;以及在第一电极和第二电极之间的发光层,该发光层由有机材料形成以基于第一电极和第二电极之间的驱动电流来实现电致发光。
然而,有机发光层可能由于水、氧气等而容易地且迅速地劣化。因此,典型的有机发光显示装置包括密封结构以防止水和氧气侵入到有机层中。
图1是典型的有机发光显示装置的局部截面图。
如图1中所示,典型的有机发光显示装置10包括:薄膜晶体管阵列基板11;在薄膜晶体管阵列基板11上的发光阵列12;以及结合到薄膜晶体管阵列基板11的密封结构13。薄膜晶体管阵列基板11和密封结构13面对彼此,其中发光阵列12插入薄膜晶体管阵列基板11和密封结构13之间。
密封结构13包括:结合成面对薄膜晶体管阵列基板11的密封层13a;布置成覆盖发光阵列12的顶部的保护层13b;以及布置在密封层13a与保护层13b之间的阻挡层13c,使得密封层13a和保护层13b通过阻挡层13而彼此粘结。
保护层13b是由具有不同组分或厚度的有机和无机绝缘材料形成的多个层的堆叠。也就是说,保护层13b包括由无机绝缘材料形成的至少一个绝缘体层。
然而,由无机绝缘材料形成的薄膜往往转印(transfer)薄膜上任何对象的轮廓。尽管可以期待厚膜防止这种问题,但是这不利地要求高的成本和长的处理时间。然而,为了补偿发光阵列12上的杂质,布置在发光阵列12上的保护层13b基本上包括由有机绝缘材料形成的绝缘体层。和厚无机绝缘体层相比,厚有机绝缘体层的形成更容易。然而,有机绝缘体层的这种添加不利于减少显示装置的厚度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的