[发明专利]一种像素单元及其制作方法、显示面板、显示装置有效
| 申请号: | 201410386948.5 | 申请日: | 2014-08-07 |
| 公开(公告)号: | CN104201289B | 公开(公告)日: | 2017-02-08 |
| 发明(设计)人: | 高静;杜小波;孙韬 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L27/32;H01L51/56 |
| 代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人: | 宋焰琴 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 像素 单元 及其 制作方法 显示 面板 显示装置 | ||
1.一种像素单元,包括:第一电极、像素界定层、发光层和第二电极,其中,所述第二电极包括第一部分和第二部分;所述像素界定层限定出像素区域,所述发光层和所述第二电极的第一部分依次设置在所述像素区域内,且所述第二电极的第一部分与所述像素界定层的上表面基本位于同一平面;所述第二电极的第二部分位于所述第一部分上方,且与其他像素单元的第二电极连接。
2.如权利要求1所述的像素单元,其中,所述第二电极的第一部分与所述像素界定层的上表面基本位于同一平面是指所述第二电极的第一部分与所述像素界定层的高度差介于(-200nm,200nm)范围之内。
3.如权利要求1所述的像素单元,其中,所述第二电极的第二部分还形成在所述像素界定层之上。
4.如权利要求3所述的像素单元,其中,所述第二电极的第二部分形成在部分或全部的所述像素界定层之上。
5.如权利要求1所述的像素单元,其中,所述第一电极为阳极,所述第二电极为阴极。
6.一种显示面板,其包括如权利要求1-5任一项所述的像素单元。
7.一种显示装置,其包括如权利要求6所述的显示面板。
8.一种像素单元的制作方法,其包括:
形成第一电极;
形成像素界定层,对其图形化,使得所述像素界定层限定出像素区域;
在所述像素区域内形成发光层;
在发光层上形成第二电极的第一部分,使得所述第二电极的第一部分上表面与所述像素界定层的上表面基本位于同一平面;
在第二电极的第一部分上形成第二电极的第二部分,所述第二电极的第二部分与其他像素单元的第二电极连接。
9.如权利要求8所述的制作方法,其中,所述第二电极的第一部分上表面与所述像素界定层的上表面基本位于同一平面是指所述第二电极的第一部分与所述像素界定层的高度差介于(-200nm,200nm)范围之内。
10.如权利要求8所述的制作方法,其中,所述第二电极的第一部分通过方块式高精度金属掩膜板制成。
11.如权利要求8-10任一项所述的制作方法,其中,所述第二电极的第二部分采用狭缝式高精度金属掩膜板制成。
12.如权利要求8-10任一项所述的制作方法,其中,所述第二电极的第二部分采用开口式掩膜板制成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择





