[发明专利]修调可控硅调压电路输出电压的方法和系统

权利要求书

1.一种修调可控硅调压电路输出电压的方法，其特征在于，包括以下步骤：

检测可控硅导通角并与可控硅调压电路标准输出电压对应的标准导通角进行比较，判断比较结果是否一致；

如果一致，则结束修调；

如果不一致，则修调可调电阻值以改变可控硅导通角，重新检测可控硅导通角并与所述标准导通角比较，直至比较结果为一致，结束修调。

2.根据权利要求1所述的一种修调可控硅调压电路输出电压的方法，其特征在于，在所述修调可调电阻值以改变可控硅导通角的步骤中，所述可调电阻包括相互并联的滑动可调电阻和激光修刻电阻，对激光修刻电阻进行激光修刻以增加其阻值，减小可控硅导通角。

3.根据权利要求2所述的一种修调可控硅调压电路输出电压的方法，其特征在于，将所述滑动可调电阻调至阻值最大位置。

4.根据权利要求1-3任一所述的一种修调可控硅调压电路输出电压的方法，其特征在于，在所述检测可控硅导通角并与可控硅调压电路标准输出电压对应的标准导通角进行比较，判断比较结果是否一致的步骤中：

将可控硅调压电路交流电源的电压波形转换为第一方波,并检测第一方波脉宽w₁；

将可控硅调压电路输出电压波形转换为第二矩形波，并检测第二矩形脉宽w₂；

计算检测可控硅导通角α₀=180*w₂/w₁；

将检测可控硅导通角α₀与标准导通角比较，如果满足±1°（可程序设定）绝对误差范围，则判断比较结果为一致，否则为不一致。

5.根据权利要求1-3任一所述的一种修调可控硅调压电路输出电压的方法，其特征在于，在所述检测可控硅导通角并与可控硅调压电路标准输出电压对应的标准导通角进行比较，判断比较结果是否一致的步骤中：

将可控硅调压电路交流电源的电压波形转换为第一方波，并检测第一方波脉宽w₁，计算采样时间点值t=（w₁/180）*(180-α₁)，α₁为标准导通角；

将可控硅调压电路输出电压波形转换为第二矩形波；

在第一方波下降沿或者上升沿开始计数；

当计数值达到采样时间点值t时，检测第二矩形波高低电平状态，如果第二矩形波为高电平状态或低电平状态，则判断比较结果为一致，如果第二方波为低电平状态或高电平状态，则为不一致。

6.一种修调可控硅调压电路输出电压的系统，其特征在于，包括：

比较单元，用于检测可控硅导通角并与可控硅调压电路标准输出电压对应的标准导通角进行比较，判断比较结果是否一致；

结束单元，用于在所述比较结果为一致时，结束修调；

修调单元，用于在所述比较结果为不一致时，修调可调电阻值以改变可控硅导通角，重新检测可控硅导通角并与所述标准导通角比较，直至比较结果为一致，结束修调。

7.根据权利要求6所述的一种修调可控硅调压电路输出电压的系统，其特征在于，所述可调电阻包括相互并联的滑动可调电阻和激光修刻电阻；所述修调单元包括激光调阻机，用于对所述激光修刻电阻进行激光修刻以增加其阻值，减小可控硅导通角。

8.根据权利要求7所述的一种修调可控硅调压电路输出电压的系统，其特征在于，所述滑动可调电阻被调至阻值最大位置。

9.根据权利要求6-8任一所述的一种修调可控硅调压电路输出电压的系统，其特征在于，所述比较单元包括：

第一方波转换单元，用于将可控硅调压电路交流电源的电压波形转换为第一方波；

第一方波检测单元，用于检测第一方波脉宽w₁；

第二矩形波转换单元，用于将可控硅调压电路输出电压波形转换为第二矩形波；

第二矩形波检测单元，用于检测第二矩形波脉宽w₂；

计算单元，用于计算检测可控硅导通角α₀=180*w₂/w₁；

判断单元，用于将检测可控硅导通角α₀与标准导通角比较，如果满足±1°绝对误差范围，则判断比较结果为一致，否则为不一致。

10.根据权利要求6-8任一所述的一种修调可控硅调压电路输出电压的系统，其特征在于，所述比较单元包括：

第一方波转换单元，用于将可控硅调压电路交流电源的电压波形转换为第一方波；

第一方波检测单元，用于检测第一方波脉宽w₁；

计算单元，用于计算采样时间点值t=（w₁/180）*(180-α₁)，α₁为标准导通角；

第二矩形波转换单元，用于将可控硅调压电路输出电压波形转换为第二矩形波；

计数单元，用于在第一方波下降沿或者上升沿开始计数；

判断单元，用于当计数值达到采样时间点值t时，检测第二矩形波高低电平状态，如果第二矩形波为高电平状态或低电平状态，则判断比较结果为一致，如果第二矩形波为低电平状态或高电平状态，则为不一致。