[发明专利]一种具有渐进式镀层的新型小型化电容器

说明书

技术领域

本发明涉及电子元器件技术领域，尤其涉及一种具有渐进式镀层的新型小型化电容器。

背景技术

传统的普通镀膜技术蒸镀的薄膜包括加厚区和非加厚区，方阻分别控制在加厚区2～4Ω/□，非加厚区：7～9Ω/□。目前，电容器小型化只能是通过降低薄膜厚度达到减小电容尺寸的目的，但这样会降低产品质量，由于电容的击穿电压高低和薄膜的厚度大小成正比，而电容寿命的长短和薄膜的击穿电压高低也成正比，就是说电容寿命的长短和薄膜的厚度大小成正比，所述通过降低薄膜厚度来实现电容小型化会导致电容寿命降低。

发明内容

本发明的目的是克服现有技术的不足，提供一种具有渐进式镀层的新型小型化电容器，散热性能和自愈性能好，薄膜的击穿电压提升，同样厚度的金属化薄膜，相对于普通的电容，它的击穿电压可提高70VAC/μm，实现不降低电容质量的前提下进行小型化。

为了实现上述目的本发明采用如下技术方案：

一种具有渐进式镀层的新型小型化电容器，所述电容器的薄膜包括基膜和镀在基膜上的镀层，所述镀层包括加厚区、中心区和普通区，所述加厚区、中心区和普通区镀层厚度呈现梯形斜坡式，厚度从加厚区向普通区均匀递减，所述镀层的方阻从加厚区向普通区逐渐增大。

所述加厚区的方阻为2～4Ω/□。

所述中心区的方阻为7～9Ω/□。

所述普通区的方阻为12～16Ω/□。

与已有技术相比，本发明的有益效果如下：

本发明是采用渐进式镀膜技术蒸镀的具有渐进式镀层的小型化电容，提升电容的散热性能和自愈性能，可以使电容散热性能提高一倍，使薄膜耐压提升1.15倍薄膜的击穿电压提升，同样厚度的金属化薄膜，相对于普通的电容，它的击穿电压可提高70VAC/μm，实现不降低电容质量的前提下进行小型化，节约成本；所述镀层的厚度均匀递减，防止累积误差造成芯体两端偏粗造成薄膜褶皱，提高产品质量。

附图说明

图1为本发明薄膜结构示意图。

具体实施方式

下面结合实施例对本发明作进一步的描述。

实施例：

一种具有渐进式镀层的新型小型化电容器，所述电容器的薄膜包括基膜1和镀在基膜上的镀层2，所述镀层1包括加厚区3、中心区4和普通区5，所述加厚区3、中心区4和普通区5镀层厚度呈现梯形斜坡式，厚度从加厚区3向普通区5均匀递减，所述镀层的方阻从加厚区3向普通区5逐渐增大，所述加厚区的方阻为2～4Ω/□，所述中心区的方阻为7～9Ω/□，所述普通区的方阻为12～16Ω/□。本发明是采用渐进式镀膜技术蒸镀的具有渐进式镀层的小型化电容，提升电容的散热性能和自愈性能，可以使电容散热性能提高一倍，使薄膜耐压提升1.15倍薄膜的击穿电压提升，同样厚度的金属化薄膜，相对于普通的电容，它的击穿电压可提高70VAC/μm，实现不降低电容质量的前提下进行小型化，节约成本；所述镀层的厚度均匀递减，防止累积误差造成芯体两端偏粗造成薄膜褶皱，提高产品质量。

试验例：

将5.8微米薄膜制成的本发明电容与现有技术中6.8微米薄膜制成的电容分别经过1.25UN,2000H条件试验，试验结果对比情况如下表：

从上表数据可得，本发明的电容在薄膜降低1微米的基础上，比现有技术电容质量还要好，也就是说，可以实现不降低电容质量的前提下进行电容小型化，节约成本。