[发明专利]用于电子组件的制造方法与制造设备有效
| 申请号： | 201410383653.2 | 申请日： | 2014-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN104377139B | 公开（公告）日： | 2017-05-24 |
| 发明（设计）人： | 洪淑慧 | 申请（专利权）人： | 印鋐科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L21/67 |
| 代理公司： | 厦门市新华专利商标代理有限公司35203 | 代理人： | 朱凌 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 电子 组件 制造 方法 设备 | ||
1.一种电子组件的制造方法，其特征在于，包含下列步骤：
提供一基板，具有一第一表面；
提供一电子组件，该电子组件的至少一面具有导电块；
使位于该电子组件的至少一面的该导电块固定于该基板的该第一表面以形成一整体组件，其中该导电块之间的间距小于100 微米，该电子组件与该基板之间的缝隙小于50 微米；
从该电子组件的多个侧边施加一毛细型底部填充物(capillary underfill)，使该填充物沿着该电子组件与该基板之间的该缝隙爬行并填充该缝隙，以形成对该导电块的保护；
将该整体组件置入一处理腔室中；
使该处理腔室内的温度上升至一第一预定温度；
预调整该处理腔室内的压力；
使该处理腔室内的压力上升至大于1 大气压力的一第二预定压力，并维持该第二预定压力经过一预定时间；及
将该处理腔室内的温度调节至一第二预定温度，
其中，预调整该处理腔室内的压力的该步骤包含下列步骤：
(a) 使该处理腔室内的压力下降至为真空压力的一第一预定压力，并维持该第一预定压力经过一预定时间；
(b) 使该处理腔室内的压力从该第一预定压力上升至一第一返回压力，其中该第一返回压力≦ 1 大气压力；
(c) 使该处理腔室内的压力下降至为真空压力的一第三预定压力，并维持该第三预定压力经过一预定时间；及
(d) 使该处理腔室内的压力从该第三预定压力上升至一第二返回压力，其中该第二返回压力≦ 1 大气压力，或者该第二返回压力≧ 1 大气压力，
其中，执行步骤(a) 至步骤(d) 一次或多次，该第二预定压力大于该第一返回压力，该第二预定压力大于该第二返回压力，该第一预定压力小于或等于或大于该第三预定压力，以及该第一返回压力小于或等于或大于该第二返回压力。
2.根据权利要求1 所述的电子组件的制造方法，其特征在于，该步骤(a) 包含：以阶段性方式使该处理腔室内的压力下降至该第一预定压力。
3.根据权利要求1 所述的电子组件的制造方法，其特征在于，该步骤(c) 包含：以阶段性方式使该处理腔室内的压力下降至为真空压力的该第三预定压力。
4.根据权利要求1 所述的电子组件的制造方法，其特征在于，该步骤(b) 包含：以阶段
性方式使该处理腔室内的压力从该第一预定压力上升至该第一返回压力。
5.根据权利要求1 所述的电子组件的制造方法，其特征在于，该步骤(d) 包含：以阶段
性方式使该处理腔室内的压力从该第三预定压力上升至该第二返回压力。
6.根据权利要求1 所述的电子组件的制造方法，其特征在于，以阶段性方式使该处理腔室内的压力上升至该第二预定压力。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
