[发明专利]一种嵌入型金属/透明导电薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种嵌入型金属/透明导电薄膜的制备方法，其特征在于，包括下列步骤：

(1)制备具有凹孔结构的TCO薄膜：以TCO玻璃为基板，经超声清洗、烘干后，放置在超短脉冲激光器的样品台上，调整样品台位置，使清洗烘干后的TCO薄膜表面位于所述激光器发出的激光束的焦点位；采用200～5000目的金属网作为模板，将其覆盖于清洗烘干后的TCO薄膜表面，进行激光表面处理，得到具有均匀、规则的凹孔结构的TCO薄膜，所述激光束的脉冲宽度＜20ns，波长为500～1000nm，激光能量密度为0.10～0.60J/cm²，扫描速度为5～30mm/s，扫描线重叠率控制在0～20％；

(2)制备金属M/TCO薄膜：采用高真空直流磁控溅射仪在步骤(1)中具有凹孔结构的TCO薄膜表面沉积金属M层，得到金属M/TCO薄膜，所述溅射电流为60～100mA，溅射时间为2～15s，溅射气体为氩气，工作压强为0.035MPa；

(3)制备嵌入型金属M/TCO薄膜：将步骤(2)中所述的金属M/TCO薄膜置于管式炉中，进行退火处理，最终得到嵌入型金属M/TCO薄膜，所述退火处理的温度为300～600℃，时间为10～60min，退火气氛为氮气或氢气，气体流量控制为10～50sccm。

2.根据权利要求1所述一种嵌入型金属/透明导电薄膜的制备方法，其特征在于，步骤(1)中所述TCO为氧化锌(ZnO)、氧化铟(In₂O₃)、氧化锡(SnO₂)、掺铝氧化锌(AZO)、掺锡氧化铟(ITO)、掺铝氧化锡(FTO)中的一种。

3.根据权利要求1所述一种嵌入型金属/透明导电薄膜的制备方法，其特征在于，步骤(1)中所述金属网为不锈钢网或铜网。

4.根据权利要求1所述一种嵌入型金属/透明导电薄膜的制备方法，其特征在于，步骤(1)中所述激光能量密度为0.10～0.30J/cm²。

5.根据权利要求1所述一种嵌入型金属/透明导电薄膜的制备方法，其特征在于，步骤(2)中所述金属M为Au、Ag、Cu、Pt、Ni和Al。