[发明专利]一种采用前馈抵消法的GaN混合集成有源准环行器

权利要求书

1.一种采用前馈抵消法的GaN混合集成有源准环行器，其特征在于，包括相互连接的发射支路[1]、接收支路[2]、前馈支路[3]，其中发射支路[1]与接收支路[2]相连，发射支路[1]的输出端口即为接收支路[2]的输入端口，该端口同时为该有源准环行器的天线端口[ANT]；发射支路[1]的输入端口即为前馈支路[3]的输入端口，该端口同时为该有源准环行器的发射端口[TX]；接收支路[2]的输出端口即为前馈支路[3]的输出端口，该端口同时为该有源准环行器的接收端口[RX]。

2.根据权利要求1所述的采用前馈抵消法的GaN混合集成有源准环行器，其特征在于，所述发射支路[1]包括依次相连的第一耦合器[4]的直通支路、第一放大器[6]、无源隔离器[7]和无源环形器[8]的一条支路，其中第一耦合器[4]的直通支路输入端口即为发射支路[1]的输入端口，上述无源环形器[7]的该条支路输出端口即为发射支路[1]的输出端口；

接收支路[2]包括相互连接的无源环形器[8]的另一条支路第二耦合器[5]的直通支路，所述无源环形器[8]的另一条支路为发射支路[1]中无源环形器[8]中所述支路的相邻下一条支路，其中上述无源环形器[8]的另一条支路的输入端口即为接收支路[2]的输入端口，第二耦合器[5]的直通支路输出端口即为接收支路[2]输出端口；

前馈支路[3]包括依次相连的第一耦合器[4]的耦合支路、可调移相器[9]、可调衰减器[10]、第二放大器[11]和第二耦合器[5]的耦合支路，其中第一耦合器[4]的耦合支路输入端即为前馈支路[3]的输入端口，第二耦合器[5]的耦合支路输出端口即为前馈支路[3]的输出端口；

上述第一耦合器[4]和第二耦合器[5]的隔离端口均通过50欧姆电阻接地。

3.根据权利要求1或2所述的采用前馈抵消法的GaN混合集成有源准环行器，其特征在于，所述无源隔离器[7]为无源铁氧体隔离器或贴片隔离器；所述无源环形器[8] 为无源铁氧体环形器或贴片环形器。

4.根据权利要求1或2所述的采用前馈抵消法的GaN混合集成有源准环行器，其特征在于，所述第一耦合器[4]和第二耦合器[5]均为不等分耦合器，并且直通支路的传输系数大于耦合支路的传输系数。

5.根据权利要求1或2所述的采用前馈抵消法的GaN混合集成有源准环行器，其特征在于，第一放大器[6]为基于GaN晶体管的功率放大器。

6.根据权利要求1或2所述的采用前馈抵消法的GaN混合集成有源准环行器，其特征在于，所述可调移相器[9]为多位数字式可调移相器或反射式连续可调移相器；所述可调衰减器[10]为多位数字式可调衰减器或连续可调衰减器。