[发明专利]用2.5D/3DTSV大功率芯片封装的散热结构

权利要求书

1.一种用于2.5D/3D TSV大功率芯片封装的散热结构，其特征是：在印刷线路板（700）的上表面焊接有支撑球（101），在支撑球（101）上设有有机基板（102），在有机基板（102）的上表面固定有模塑封体（113），在模塑封体（113）内设有微喷腔体（112），在微喷腔体（112）的上腔板上开设有冷却介质入口（116），在微喷腔体（112）的右侧板开设有冷却介质出口（117），在微喷腔体（112）的下方设有第一底部填充料（110），在第一底部填充料（110）的上表面与微喷腔体（112）的下腔板之间设有芯片安装间隙，在第一底部填充料（110）内设有芯片安装凸点（109），在第一底部填充料（110）的下方设有转接板（106），转接板（106）的上表面设有绝缘层（107），在绝缘层（107）内设有转接板（106）的正面再布线层（108），转接板（106）的下表面设有背面再布线层（105），在第一底部填充料（110）的下方设有第二底部填充料（104），在第二底部填充料（104）内设有柱状凸点（103），柱状凸点（103）的上端部与背面再布线层（105）接触，柱状凸点（103）的下端部与有机基板（102）的上表面接触，在支撑球（101）右侧的印刷线路板（700）的上表面固定有热交换器（300），在热交换器（300）右侧印刷线路板（700）的上表面固定有冷却泵（200）；所述热交换器（300）的出口与冷却泵（200）的入口之间通过第一连接管道（600）相连，冷却泵（200）的出口与冷却介质入口（116）之间通过第二连接管道（400）相连，冷却介质出口（117）与热交换器（300）的入口之间通过第三连接管道（500）相连。

2.如权利要求1所述的用于2.5D/3D TSV大功率芯片封装的散热结构，其特征是：在微喷腔体（112）的左侧板与右侧板的中部位置固定有隔板（114），在隔板（114）上开设有隔板过孔（115），且所述冷却介质出口（117）开设在隔板（114）下方的微喷腔体（112）的右侧板。