[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201410379832.9 | 申请日： | 2014-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN104916691A | 公开（公告）日： | 2015-09-16 |
| 发明（设计）人： | 河野洋志;高尾和人 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 徐冰冰;刘杰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置，具备：
第一电极；
第二电极；
第一导电型的第一半导体区域，设置于所述第一电极与所述第二电极之间；
第二导电型的第二半导体区域，设置于所述第一半导体区域与所述第二电极之间；
第一导电型的第三半导体区域，设置于所述第二半导体区域与所述第二电极之间，该第三半导体区域的杂质浓度高于所述第一半导体区域的杂质浓度；
第三电极，经由第一绝缘膜与所述第三半导体区域、所述第二半导体区域以及所述第一半导体区域接连；以及
电容元件部，具有：与所述第二电极电连接的第四电极；与所述第三电极电连接的第五电极；以及设置于所述第四电极与所述第五电极之间的第二绝缘膜。
2.如权利要求1所述的半导体装置，其中，
所述电容元件部设置于没有配置所述第二电极的所述第一半导体区域的上侧。
3.如权利要求1所述的半导体装置，其中，
在所述第一半导体区域的上侧还具备与所述第三电极电连接的电极极板。
4.如权利要求3所述的半导体装置，其中，
所述电容元件部设置于所述电极极板之下。
5.如权利要求1所述的半导体装置，其中，
所述第四电极以及第五电极朝与从所述第一电极朝向所述第二电极的第一方向交叉的第二方向、以及与所述第一方向以及所述第二方向交叉的第三方向扩展。
6.如权利要求1所述的半导体装置，其中，
所述第二电极的一部分与所述第四电极的一部分接连。
7.如权利要求1所述的半导体装置，其中，
所述第四电极包含多晶硅、聚碳化硅、金属硅化物中的至少任一种，或者包含多晶硅、聚碳化硅、金属硅化物中的至少两种的层叠体。
8.如权利要求1所述的半导体装置，其中，
所述第五电极包含多晶硅、聚碳化硅、金属硅化物中的至少任一种，或者包含多晶硅、聚碳化硅、金属硅化物中的至少两种的层叠体。
9.如权利要求1所述的半导体装置，其中，
所述半导体装置还具备：
第二导电型的第四半导体区域，设置于所述第一半导体区域与所述第二电极之间；以及
第一导电型的第五半导体区域，设置于所述第四半导体区域与所述第二电极之间，该第五半导体区域的杂质浓度高于所述第一半导体区域的杂质浓度，
所述电容元件部经由第三绝缘膜与所述第五半导体区域以及所述第一半导体区域接连。
10.如权利要求9所述的半导体装置，其中，
所述第四电极与所述第二电极接触。
11.如权利要求9所述的半导体装置，其中，
所述第四电极包含多晶硅、聚碳化硅、金属硅化物中的至少任一种，或者包含多晶硅、聚碳化硅、金属硅化物中的至少两种的层叠体。
12.如权利要求9所述的半导体装置，其中，
所述第五电极包含多晶硅、聚碳化硅、金属硅化物中的至少任一种，或者包含多晶硅、聚碳化硅、金属硅化物中的至少两种的层叠体。
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