[发明专利]超声换能器及其分割方法和分割器件的方法

权利要求书

1.一种电容式微机械加工的超声换能器的分割方法，所述方法包括：

在器件晶片的区域中形成第一沟槽，所述器件晶片包括在其上的多个超声换能器结构；

在形成所述第一沟槽之后，通过接合电极垫晶片和所述器件晶片而形成具有多个超声换能器的超声换能器晶片；

在所述器件晶片中形成限定与所述多个超声换能器结构的每个相应的多个元件的第二沟槽，其中形成所述第一沟槽与形成所述第二沟槽同时执行；以及

通过在所述第一沟槽处切割所述多个超声换能器结构和在所述第一沟槽下面的所述电极垫晶片，将所述超声换能器晶片切割成块以分割所述多个超声换能器的每个，从而将所述器件晶片形成为多个器件衬底，将所述电极垫晶片形成为多个电极垫衬底，并形成在所述器件衬底的侧面突出的第一突起单元以及在与所述第一突起单元相同的侧面从所述电极垫衬底突出的第二突起单元，

其中所述第一沟槽的宽度大于所述第二沟槽的宽度。

2.如权利要求1所述的方法，其中形成所述第一沟槽包括使用干蚀刻方法在所述器件晶片中形成通孔。

3.如权利要求1所述的方法，其中使用锯条执行所述超声换能器晶片的切割成块，其中所述第一沟槽的宽度大于所述锯条的切割宽度。

4.如权利要求3所述的方法，还包括：在所述电极垫晶片与所述器件晶片接合之前，在所述电极垫晶片中与所述第一沟槽相应地形成第三沟槽。

5.如权利要求4所述的方法，其中所述第三沟槽具有大于所述锯条的切割宽度的宽度。

6.如权利要求5所述的方法，其中接合所述电极垫晶片与所述器件晶片包括将所述第一沟槽与所述第三沟槽对准。

7.如权利要求4所述的方法，其中形成所述第三沟槽包括形成所述第三沟槽以具有在所述电极垫晶片的厚度的1/2至3/4的范围内的深度。

8.一种电容式微机械加工的超声换能器的分割方法，所述方法包括：

在器件晶片的区域中形成第一沟槽，所述器件晶片包括在其上的多个超声换能器结构；

通过接合电极垫晶片和所述器件晶片而形成具有多个超声换能器的超声换能器晶片；

在接合所述电极垫晶片与所述器件晶片之前，在所述电极垫晶片中与所述第一沟槽相应地形成第三沟槽；以及

通过在所述第一沟槽处切割所述多个超声换能器结构和在所述第一沟槽下面的所述电极垫晶片，将所述超声换能器晶片切割成块以分割所述多个超声换能器的每个，

其中所述第三沟槽具有与所述第一沟槽基本相同的宽度。