[发明专利]一种抛釉砖的制造方法及其产品有效
| 申请号： | 201410377858.X | 申请日： | 2014-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN104130032A | 公开（公告）日： | 2014-11-05 |
| 发明（设计）人： | 王华明 | 申请（专利权）人： | 佛山市东鹏陶瓷有限公司;丰城市东鹏陶瓷有限公司;广东东鹏控股股份有限公司;广东东鹏陶瓷股份有限公司 |
| 主分类号： | C04B41/89 | 分类号： | C04B41/89;C04B41/86 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 胡彬;韩国胜 |
| 地址： | 528031 广东省佛山市禅*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 抛釉砖 制造 方法 及其 产品 | ||
1.一种抛釉砖的制造方法，其特征在于，步骤依次包括：
A、将陶瓷粉料压制形成砖坯，干燥后在所述砖坯上施底釉；
B、印花并干燥后，施保护釉；
C、素烧；
D、施透明釉，然后干燥；
E、烧制后使用非弹性模块进行抛磨。
2.根据权利要求1所述的一种抛釉砖的制造方法，其特征在于：所述步骤A中的所述施底釉的施釉量为300-400g/m2。
3.根据权利要求1所述的一种抛釉砖的制造方法，其特征在于：所述步骤B中的所述印花包括丝网印花、辊筒印花或喷墨打印印花中的一种或多种组合。
4.根据权利要求1所述的一种抛釉砖的制造方法，其特征在于：所述步骤B中的所述施保护釉的施釉量为300-350g/m2。
5.根据权利要求1所述的一种抛釉砖的制造方法，其特征在于：所述步骤B中的保护釉的化学组成为Si:58-70％，Al:13.0-14.0％，Ca:12.0-13.0％，Mg：1.2-1.3％，K:0.2-0.7％，Na:5.5-6.0％。
6.根据权利要求5所述的一种抛釉砖的制造方法，其特征在于：所述保护釉的软化温度为1070-1080℃。
7.根据权利要求1所述的一种抛釉砖的制造方法，其特征在于：所述透明釉的软化温度为1100-1120℃。
8.根据权利要求1所述的一种抛釉砖的制造方法，其特征在于：所述步骤C中的所述素烧的温度为850-950℃。
9.根据权利要求1所述的一种抛釉砖的制造方法，其特征在于：所述步骤D中的所述施透明釉的施釉量为1000-1050g/m2。
10.根据权利要求1-9任意一项所述的一种抛釉砖的制造方法所制造的产品，其特征在于：由下而上依次包括底坯层、印花层、保护釉层和透明釉层。
11.根据权利要求10所述的产品，其特征在于：所述底坯层厚度为6-9mm；所述印花层厚度为小于0.1mm；所述保护釉层厚度为0.1-0.2mm；所述透明釉层厚度为0.8-1.0mm。
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