[发明专利]半导体器件缺陷的光学检测方法

权利要求书

1.一种半导体器件缺陷的光学检测方法，其特征在于，其包括以下步骤：

步骤S01，提供具有至少一种器件的待检测晶圆，通过电子显微镜，获得具有该晶圆中每种器件需检测区域轮廓的二维轮廓图形；

步骤S02，在该二维轮廓图形上分别标定该器件需检测区域的器件种类及位置信息；

步骤S03，通过光学缺陷检测设备，根据该二维轮廓图形上的器件种类及位置信息，获得具有该晶圆中每种器件需检测区域的光学二维灰阶图形，该光学二维灰阶图形显示不同灰阶图以表示该晶圆中不同器件需检测区域，即使得该光学二维灰阶图形上每种灰阶图与该器件的位置相对应；

步骤S04，判断该光学二维灰阶图形中的每个灰阶图中是否存在色斑，若存在，则记为缺陷，并获得该缺陷所属的器件类型；

步骤S05，计算得到每种器件的缺陷总量。

2.根据权利要求1所述的光学检测方法，其特征在于：步骤S04包括判断该光学二维灰阶图形中的每个灰阶图中是否存在两种以上灰阶。

3.根据权利要求2所述的光学检测方法，其特征在于：步骤S04包括判断该光学二维灰阶图形中的每个灰阶图中是否存在与同类型器件灰阶图色差大于预设值的色斑。

4.根据权利要求1所述的光学检测方法，其特征在于：步骤S04包括将待检测晶圆与预设标准晶圆或相邻晶圆的光学二维灰阶图形比较，判断每个灰阶图中是否存在色斑。

5.根据权利要求1至3任一项所述的光学检测方法，其特征在于：步骤S03还包括根据器件种类，选择该光学缺陷检测设备的光源，以使得获得的光学二维灰阶图形上每种器件显示不同灰阶图。

6.根据权利要求5所述的光学检测方法，其特征在于：该检测区域包括一个或多个静态存储器，该器件结构包括有源区、栅极区和氧化层隔离区。

7.根据权利要求5所述的光学检测方法，其特征在于：该电子显微镜为扫描电镜。