[发明专利]量测群组设备及量测方法有效
| 申请号: | 201410377345.9 | 申请日: | 2014-08-01 |
| 公开(公告)号: | CN104134623B | 公开(公告)日: | 2019-08-06 |
| 发明(设计)人: | 倪棋梁;陈宏璘;龙吟 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/66 |
| 代理公司: | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人: | 吴世华;林彦之 |
| 地址: | 201210 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 量测群组 设备 方法 | ||
本发明提供一种量测群组设备及量测方法,包括:分析模块和运输模块,通过分析模块控制待量测产品在量测群组设备和后续工艺设备之间的分配、以及控制运输模块将待量测产品运输到后续设备;运输模块,与分析模块相连,用于向后续设备中搬运待量测产品。本发明的量测方法,包括:在量测群组设备的分析模块中设定量测群组设备的最大量测数量;分析模块判断待量测产品的数量是否超过量测群组设备的最大量测数量;判断结果为是,则分析模块开始分析所述后续工艺设备的生产能力;后续工艺设备出现闲置情况,则分析模块向所述运输模块发送跳站指令;运输模块接收到跳站指令,将待量测产品搬运到后续工艺设备中,从而加快产品流通。
技术领域
本发明涉及半导体技术领域,具体涉及一种集成电路生产工艺中的量测群组设备及量测方法。
背景技术
集成电路的制造工艺是一个十分复杂的过程,尤其是先进集成电路制造工艺一般包含几百步的工序,简单地说,就是通过薄膜生长、光刻、刻蚀、离子注入等方法在衬底材料(如硅衬底)上,形成半导体器件的过程。在实际的生产过程中由于工艺的细小的变化都有可能导致薄膜生产厚度的变化、图形尺寸的变化等异常等现象,这都会导致芯片最终电学性能的失效,但是如果需要等到最后电学性能测试的反馈到生产线上的异常工事,势必会造成大量产品的失效,所以在实际的生产过程中都会配置大量的各种量测的设备对漫长的生产线进行监控。一般工艺生产流程如图1所示,为现有的产品生产和量测工艺流通的流程示意图,左边的三个方块表示工艺1、2、3,右边的三个方块表示工艺4、5、6,中间的方块表示量测群组设备A,此时其具有3台检测设备,产品的流通都是围绕着一个生产执行系统进行,从而可以实现不同产品按照不同的生产工序进行流通。但是,由于量测设备是非常昂贵的,在建立生产线上时,对量测设备产能的配置会比较保守。因此,在图1中的量测群组设备A中,由于其中一台用来进行工程实验4个小时,再加上前道生产的产品持续地进入到这个量测群组设备A所在的量测站点中,就会造成这个量测站点等待量测的产品大量地增加如图2所示,图2为量测群组设备中产生待量测的产品堆积的示意图;由于一个工艺可能会有一百多道的量测工序,那么如果不同的量测站点在生产是均发生不同程度的堆货,从而就会使得产品的生产周期大大延长,使得昂贵的生产设备的使用效率偏低,导致生产成本的增加。
发明内容
为了克服以上问题,本发明旨在提供一种集成电路生产工艺中的量测群组设备及量测方法,从而改善现有的待量测产品大量堆积导致生产周期增加和成本增加的问题。
为了实现上述目的,本发明提供了一种集成电路生产工艺中的量测群组设备,其包括:
分析模块,用于控制待量测产品在所述量测群组设备和后续工艺设备之间的分配、以及控制运输模块将所述待量测产品运输到所述后续设备;
运输模块,与所述分析模块相连,用于向所述后续设备中搬运所述待量测产品。
优选地,所述分析模块,用于判断所述待量测产品的数量是否超过所述量测群组设备的最大量测数量,并分析所述后续工艺设备的生产能力。
优选地,所述分析模块,用于对所述待量测产品进行选择性分配:根据前续工艺设备的种类,将每种所述前续工艺设备出来的所述待量测产品中均保留至少一件,从而确保每种所述前续工艺设备出来的所述待量测产品都至少有一件被量测到。
优选地,所述分析模块还包括计算单元,用于计算所述待量测产品的数量与所述量测群组设备的最大量测数量的差值;并将所述差值信号发送给所述运输模块;
所述运输模块将多出来的所述差值数量的所述待量测产品搬运到所述后续工艺设备中。
优选地,所述待量测产品为向所述量测设备进行运输途中的待量测产品,则所述分析模块还包括:
速度探测单元,用于探测向所述运输途中的量测群组设备输送所述待量测产品的速度;
距离探测单元,用于探测所述运输途中的待量测产品与所述量测群组设备之间的距离;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





