[发明专利]一种显示面板、显示装置以及显示面板的制备方法在审

专利信息
申请号: 201410376826.8 申请日: 2014-08-01
公开(公告)号: CN104216177A 公开(公告)日: 2014-12-17
发明(设计)人: 杨久霞;白峰 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司
主分类号: G02F1/1343 分类号: G02F1/1343;G02F1/13;G02F1/1333
代理公司: 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 代理人: 黄志华
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 显示 面板 显示装置 以及 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种显示面板,包括:相对设置的阵列基板和对向基板;其特征在于,所述阵列基板设有显示模式切换单元,所述显示模式切换单元包括:

模式切换电极;

由电致变色材料制备、且根据所述模式切换电极的电压改变反射率的反射率调整膜层。

2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,

所述显示模式切换单元位于阵列基板的衬底基板背离所述对向基板的一侧;或者,

所述显示模式切换单元位于阵列基板的衬底基板朝向所述对向基板的一侧。

3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,当所述显示模式切换单元位于所述阵列基板的衬底基板朝向所述对向基板的一侧时:

所述显示模式切换单元位于阵列基板的衬底基板与阵列基板的驱动电路之间;或者,

所述显示模式切换单元位于阵列基板的驱动电路朝向所述对向基板的一侧。

4.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述阵列基板设有的显示模式切换单元中:

所述反射率调整膜层位于所述模式切换电极与阵列基板的衬底基板之间;或者,

所述模式切换电极位于所述反射率调整膜层与阵列基板的衬底基板之间。

5.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,制备所述反射率调整膜层的电致变色材料为双稳态电致变色材料。

6.根据权利要求5所述的显示面板,其特征在于,所述双稳态电致变色材料为:

有机电致变色材料;或者,

无机电致变色材料;或者,

有机材料和无机材料的混合物。

7.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1~6任一项所述的显示面板。

8.根据权利要求7所述的显示装置,其特征在于,还包括:

用于感测显示器件外部光强度的光传感器;

控制器,所述控制器与所述光传感器和所述模式切换电极信号连接。

9.一种如权利要求1~6任一项所述的显示面板的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

在衬底基板上形成显示模式切换单元,以形成阵列基板,其中,所述显示模式切换单元包括:模式切换电极;由电致变色材料制备、且根据所述模式切换电极的电压改变反射率的反射率调整膜层;

连接阵列基板和对向基板,以形成显示面板。

10.根据权利要求9所述的制备方法,其特征在于,所述形成阵列基板,包括:

在所述阵列基板的衬底基板与对向基板相对的一侧表面形成驱动电路;

在所述驱动电路上形成保护层;

在所述衬底基板背离对向基板的一侧表面形成所述显示模式切换单元;

剥离所述保护层。

11.根据权利要求9所述的制备方法,其特征在于,所述形成阵列基板,包括:

在所述阵列基板的衬底基板背离对向基板的一侧表面形成所述显示模式切换单元;

在所述显示模式切换单元上形成保护层;

在所述衬底基板与对向基板相对的一侧表面形成驱动电路;

剥离所述保护层。

12.根据权利要求9所述的制备方法,其特征在于,所述形成阵列基板,包括:

在所述阵列基板的衬底基板与对向基板相对的一侧表面形成驱动电路;

在所述驱动电路上形成绝缘层;

在所述绝缘层上形成所述显示模式切换单元。

13.根据权利要求9所述的制备方法,其特征在于,所述形成阵列基板,包括:

在所述阵列基板的衬底基板与对向基板相对的一侧表面形成所述显示模式切换单元;

在所述显示模式切换单元上形成绝缘层;

在所述绝缘层上形成驱动电路。

14.根据权利要求10~13任一项所述的制备方法,其特征在于,所述形成显示模式切换单元,包括:

形成所述模式切换电极;在所述模式切换电极上形成所述反射率调整膜层;或者,

形成所述反射率调整膜层;在所述反射率调整膜层上形成所述模式切换电极。

15.根据权利要求14所述的制备方法,其特征在于,所述形成所述模式切换电极为:

采用溅射工艺或者印刷工艺形成所述模式切换电极。

16.根据权利要求14所述的制备方法,其特征在于,所述形成所述反射率调整膜层为:

采用涂布、印刷、打印及固化工艺制程形成反射率调整膜层;或者,

采用CVD工艺制程形成反射率调整膜层;

采用溅射工艺制程形成反射率调整膜层。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410376826.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top