[发明专利]无结晶体管在审
| 申请号： | 201410375232.5 | 申请日： | 2014-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN104241334A | 公开（公告）日： | 2014-12-24 |
| 发明（设计）人： | 顾经纶 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/04 | 分类号： | H01L29/04;H01L29/78;H01L29/786;H01L29/165;B82Y10/00 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 吴俊 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 结晶体 | ||
【权利要求书】：
1.一种无结晶体管，其特征在于，包括位于一SiGe衬底上的栅极，位于所述栅极底部两侧的衬底中形成有源区和漏区，所述源区和漏区之间形成有沟道区，且所述沟道区沿所述源区指向漏区的方向上的晶向为<100>；
其中，所述源区和漏区的Ge含量与所述沟道区的Ge含量不同，藉由SiGe衬底中制成的源区、漏区和沟道区以及栅极结成无结的场效应晶体管。
2.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述源区和漏区中Ge的化学摩尔比小于所述沟道区中Ge的化学摩尔比。
3.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述源区和漏区中Ge的化学摩尔比相同。
4.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述栅极为多晶硅栅，所述栅氧化层的材质为二氧化硅。
5.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述SiGe衬底为经过硼掺杂过的衬底，掺杂浓度为5e19/cm3。
6.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述源区和漏区中Ge的化学摩尔比为1％-100％。
7.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述沟道区中Ge的化学摩尔比为1％-100％。
8.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述衬底为P型衬底。
9.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述栅极包括位于衬底上的栅氧化层和位于该栅氧化层上的多晶硅栅。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力微电子有限公司，未经上海华力微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410375232.5/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种新型预应力混凝土抗压防震短柱
- 下一篇：钢结构支撑梁
- 同类专利
- 专利分类
