[发明专利]ONO介质层的制备方法

权利要求书

1.一种ONO介质层制备方法，其特征在于，包括如下步骤：将硅片放置在一反应炉内的晶舟盒内，所述反应炉设有前驱气体管路、特气管路和净化气体管路；

在所述硅片的上表面制备一层氧化物后，沉积一层氮化物覆盖在于所述氧化层的上表面，之后再制备一层氧化物覆盖在所述氮化物的上表面；

其中，制备所述氮化物的步骤为：

步骤S1、通过前驱气体管路通入含硅气体至反应炉内，并在通入含硅气体的同时，关闭其他管路；

步骤S2、关闭前驱气体管路，打开净化气体管路通入净化气体至反应炉内；

步骤S3、关闭净化气体管路，打开特气管路通入含氮气体至反应炉内，通入的含氮气体与含硅气体反应生成氮化硅附着在硅片表面；

步骤S4、关闭特气管路并再次打开净化气体管路输送净化气体至反应炉。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在进行所述氮化物的制备过程中，将步骤S1、步骤S2、步骤S3和步骤S4作为一个周期，并进行多个周期以完成所述氮化物的制备工艺。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述含硅气体为DCS。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述含氮气体为NH₃。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述净化气体为N₂。

6.如权利要求1所述的方法，在进行氧化层的制备时，于所述反应炉内通入DCS和N₂O生成所述氧化物。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述晶舟盒内壁在垂直方向上固定有若干基座，且各基座之上皆设置有一朝向晶舟盒中心的支撑架，所述支撑架用于放置所述硅片。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述基座和支撑架皆为环形配置。

9.如权利要求7所述的方法，其特征在于，在将硅片放置在各所述支撑架上时，所述硅片边缘在垂直方向上的空隙距离小于硅片中部在垂直方向上的空隙距离；

在进行沉积工艺时，于上下相邻两个硅片之间形成一拱桥状空腔，进而提高气体的流通性。

10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述前驱气体管路和特气管路均为多孔的石英管路。