[发明专利]压电体薄膜元件、其制造方法、以及使用了该压电体薄膜元件的电子设备

权利要求书

1.一种铌酸碱金属系压电体薄膜元件的制造方法，其为压电体薄膜元件的制造方法，其特征在于，具有如下工序：

在基板上形成下部电极膜的下部电极膜形成工序；

在所述下部电极膜上形成由铌酸碱金属系压电体构成的压电体薄膜的压电体薄膜形成工序，其中所述铌酸碱金属系压电体的组成式为：(Na_xK_yLi_z)NbO₃，0≤x≤1、0≤y≤1、0≤z≤0.2、x+y+z＝1；

在所述压电体薄膜上按照成为所希望的图案的方式形成蚀刻掩模的蚀刻掩模图案形成工序；以及

对所述压电体薄膜进行干式蚀刻从而对该压电体薄膜进行所希望图案的微细加工的压电体薄膜蚀刻工序，

所述蚀刻掩模中，至少与所述压电体薄膜相接的层由氧化物构成。

2.根据权利要求1所述的铌酸碱金属系压电体薄膜元件的制造方法，其特征在于，所述氧化物是氧化硅。

3.根据权利要求1或2所述的铌酸碱金属系压电体薄膜元件的制造方法，其特征在于，所述蚀刻掩模中，由所述氧化物构成的层以及由与该氧化物不同种类的氧化物构成的层形成了层叠结构。

4.根据权利要求3所述的铌酸碱金属系压电体薄膜元件的制造方法，其特征在于，所述不同种类的氧化物是氧化铝。

5.根据权利要求1或2所述的铌酸碱金属系压电体薄膜元件的制造方法，其特征在于，所述蚀刻掩模中，由所述氧化物构成的层以及由金属构成的层形成了层叠结构。

6.根据权利要求5所述的铌酸碱金属系压电体薄膜元件的制造方法，其特征在于，所述金属是铬。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的铌酸碱金属系压电体薄膜元件的制造方法，其特征在于，所述干式蚀刻是反应性离子蚀刻。

8.根据权利要求1～7中任一项所述的铌酸碱金属系压电体薄膜元件的制造方法，其特征在于，所述下部电极膜包含铂。

9.根据权利要求1～8中任一项所述的铌酸碱金属系压电体薄膜元件的制造方法，其特征在于，所述压电体薄膜的晶系是准立方晶，所述压电体薄膜按照主表面优先取向于(001)面的方式利用溅射法而形成。

10.根据权利要求1～9中任一项所述的铌酸碱金属系压电体薄膜元件的制造方法，其特征在于，所述基板是在其表面具有热氧化膜的硅基板。

11.根据权利要求1～10中任一项所述的铌酸碱金属系压电体薄膜元件的制造方法，其特征在于，进一步具有如下工序：

在已微细加工为所希望图案的所述压电体薄膜上形成上部电极膜的上部电极膜形成工序、以及

从具备形成有所述上部电极膜的所述压电体薄膜的所述基板切出芯片状的压电体薄膜元件的切割工序。

12.一种铌酸碱金属系压电体薄膜元件，其特征在于，其为通过权利要求1～11中任一项所述的铌酸碱金属系压电体薄膜元件的制造方法制造的铌酸碱金属系压电体薄膜元件，

所述压电体薄膜蚀刻工序后的所述铌酸碱金属系压电体薄膜的介质损耗角正切特性是所述压电体薄膜蚀刻工序前的所述铌酸碱金属系压电体薄膜的介质损耗角正切特性的1.2倍以内，

并且所述压电体薄膜蚀刻工序后的所述铌酸碱金属系压电体薄膜的漏电流密度特性是所述压电体薄膜蚀刻工序前的所述铌酸碱金属系压电体薄膜的漏电流密度特性的10倍以内。

13.一种电子设备，其特征在于，使用了权利要求12所述的铌酸碱金属系压电体薄膜元件。