[发明专利]一种具有集成检测标记的光刻掩膜版及其应用有效
| 申请号: | 201410374231.9 | 申请日: | 2014-07-31 |
| 公开(公告)号: | CN105319834B | 公开(公告)日: | 2019-10-25 |
| 发明(设计)人: | 刘欢;沈燕;吴萌萌;张玉萍;徐现刚 | 申请(专利权)人: | 山东华光光电子股份有限公司 |
| 主分类号: | G03F1/44 | 分类号: | G03F1/44 |
| 代理公司: | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人: | 吕利敏 |
| 地址: | 250101 山东*** | 国省代码: | 山东;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 具有 集成 检测 标记 光刻 掩膜版 及其 应用 | ||
1.一种具有集成检测标记的光刻掩膜版,其特征在于,该掩膜板包括在所述光刻掩膜版上设置的对准标记、测量标记和包含脊形波导信息的图案,所述脊形波导信息的图案的方向是根据实际需要设计为垂直或平行于所述对准标记的:
所述对准标记用于与晶片定位边对齐;
所述的测量标记包括测量标记A,所述的测量标记A包括至少两条分别与所述对准标记相垂直的标记条;所述标记条之间的距离小于等于所述晶片定位边的长度;
所述每条标记条分别包括个数相同的标记格顺次垂直于对准标记排列,所述单个标记格的尺寸相同。
2.根据权利要求1所述的一种具有集成检测标记的光刻掩膜版,其特征在于,所述的测量标记还包括测量标记B,所述的测量标记B平行于所述对准标记,当晶片定位边与所述对准标记平行对齐时,所述测量标记B与所述晶片外边缘相切。
3.根据权利要求1所述的一种具有集成检测标记的光刻掩膜版,其特征在于,所述每条标记条中的相邻设置的标记格彼此横向错位设置。
4.根据权利要求3所述的一种具有集成检测标记的光刻掩膜版,其特征在于,所述每条标记条中的相邻设置的标记格彼此横向错位的距离为一个标记格。
5.一种如权利要求1-4任意一项所述光刻掩膜版的使用方法,其特征在于,该使用方法包括如下内容:
当需要利用上述光刻掩模版对晶片进行对齐光刻时:
将晶片的定位边与所述光刻掩膜版上的对准标记平行对齐,同时将所述测量标记A中的两条标记条与所述晶片对应;然后进行光刻处理,将所述光刻掩模版上脊形波导信息的图案及两条标记条图案一齐光刻至晶片上。
6.一种对利用如权利要求5所述光刻掩膜版光刻后晶片的检验方法,包括如下内容:
1)通过查看光刻后的晶片上是否有测量标记B的图案,判断晶片定位边是否与光刻掩膜版上的对准标记对齐:
当光刻后的晶片上有测量标记B的图案时,则晶片定位边与光刻掩膜版上的对准标记不对齐;当光刻后的晶片上无测量标记B的图案时,则晶片定位边与光刻掩膜版上的对准标记对齐;
2)通过查看光刻后的晶片上所述测量标记A中的两条标记条分别包含标记格个数差值,判断晶片定位边与光刻掩膜版上的对准标记是否出现偏离角度,即为脊波导方向与晶片自然解理面间的偏离度:当两条标记条分别包含标记格个数不相同时,则晶片定位边与光刻掩膜版上的对准标记出现偏离角度α;当两条标记条分别包含标记格个数相同时,则晶片定位边与光刻掩膜版上的对准标记无偏离角度;其中所述标记条中标记格的边长为a,所述两条标记条间距为b,根据晶片上两个标记条所含标记格个数之差n个,求偏离角度α,满足如下公式:
tanα=na/b;
3)通过查看光刻后的晶片上相邻标记格之间的位置关系,判断光刻后复印到晶片上的图案是膨大还是缩小:
当顺次垂直于对准标记排列的标记格,相邻标记格之间的距离增加时,则光刻后的复印到晶片上的图案是缩小;
当顺次垂直于对准标记排列的标记格,相邻标记格之间的距离减小时,则光刻后复印到晶片上的图案是膨大。
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G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备





