[发明专利]用于减少硅损耗的方法有效
| 申请号： | 201410373544.2 | 申请日： | 2014-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN105336701B | 公开（公告）日： | 2018-09-04 |
| 发明（设计）人： | 张冬梅 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;H01L27/11521;H01L21/324 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 张东梅 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 减少 损耗 方法 | ||
1.一种制造半导体结构的方法，包括：
在衬底上形成有源区；
在有源区上依次形成衬垫氧化物层、多晶硅层和氮化硅层；
在有源区和多晶硅层中形成沟槽；
对所述衬底进行氮气退火；
沟槽表面上形成氧化物内衬；以及
填充沟槽，
其中，
通过对所述衬底进行氮气退火，在沟槽表面上形成氮化物，并且所述氮化物用于控制所形成的氧化物内衬的厚度，从而减少有源区和多晶硅层中的硅损耗。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，对所述衬底进行氮气退火的工艺条件包括以下的一项或多项：
氮气气氛；
温度600－1000℃；以及
退火时间20－40分钟。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，通过炉管加热在沟槽表面上形成氧化物内衬。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述沟槽用于浅槽隔离。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在有源区和多晶硅层中形成沟槽包括形成用于隔离存储组件有源区的沟槽。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在有源区和多晶硅层中形成沟槽包括形成用于隔离外围器件的沟槽。
7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，填充沟槽包括在沟槽中填充氧化物。
8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)、旋涂沉积、快速气相沉积、可流动膜沉积工艺填充沟槽。
9.一种半导体器件，包括通过权利要求1至8中的任一项所述的方法制造的半导体结构。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
