[发明专利]一种具备全角反射镜的发光二极管芯片的制备方法

权利要求书

1.一种具备全角反射镜ODR的发光二极管LED芯片的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

在蓝宝石衬底的第一表面的第一区域形成图形；

在所述蓝宝石衬底的第一表面的第二区域和所述图形上生长外延层，得到外延片，所述蓝宝石衬底的第一表面的第二区域为所述蓝宝石衬底的第一表面中除所述蓝宝石衬底的第一表面的第一区域之外的区域；

在所述外延层中形成划片道，所述划片道从所述外延片的第一表面延伸至所述蓝宝石衬底的第一表面，所述外延片的第一表面为所述外延片的与所述蓝宝石衬底相反的一侧的表面，从所述外延片的第一表面俯视所述外延片，所述划片道位于所述第二区域内；

在所述外延片上制备电流阻挡层、电流扩展层和电极，并减薄所述外延片，减薄后的所述外延片的厚度为130-150um；

在所述外延片的第二表面蒸镀ODR，所述外延片的第二表面为与所述外延片的第一表面相反的表面；

从所述外延片的第一表面沿着所述划片道进行激光划片，进行激光划片时的激光功率为0.3-0.6W，激光频率为90-110KHz，切深为40-50um；

对所述外延片进行裂片加工，得到LED芯片，其中，所述在所述蓝宝石衬底的第一表面的第二区域和所述图形上生长外延层，得到外延片，包括：在所述蓝宝石衬底的第一表面的第二区域和所述图形上依次沉积N型层、有源层、P型层，形成外延片；

在所述外延片的第一表面涂覆光刻胶；

对所述外延片的第一表面上的光刻胶进行曝光、曝光后烘培PEB、显影，去除所述外延片的第一表面的部分区域的光刻胶；

采用等离子刻蚀，在所述外延片的第一表面形成从所述P型层延伸到所述N型层的凹槽，所述凹槽用于设置N电极。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述外延层中形成划片道，包括：

在所述外延片的第一表面沉积二氧化硅层；

在所述二氧化硅层上涂覆光刻胶；

对所述二氧化硅层上的光刻胶进行曝光、曝光后烘培PEB、显影，去除所述二氧化硅层的部分区域的光刻胶；

采用湿法腐蚀，在所述二氧化硅层内形成划片道；

采用等离子体刻蚀，沿着所述二氧化硅层内的划片道形成所述外延层内的划片道；

采用湿法腐蚀，去除所述二氧化硅层。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在所述外延片的第一表面沉积二氧化硅层，包括：

采用等离子体增强化学气相沉积法PECVD，在所述外延片的第一表面沉积二氧化硅层，所述二氧化硅层的厚度为700-1000nm。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述湿法腐蚀采用缓冲氧化蚀刻剂BOE溶液。

5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述等离子体刻蚀形成所述外延层内的划片道时，上电极功率为1800-2400W，下电极功率为300-400W，刻蚀压力为2.5-3.5mtorr，刻蚀温度为0-10℃，刻蚀气体为20-40sccm的三氯化硼和100-140sccm的氯气。

6.根据权利要求1-5任一项所述的方法，其特征在于，所述在蓝宝石衬底的第一表面的第一区域形成图形，包括：

在蓝宝石衬底的第一表面涂覆光刻胶；

对所述蓝宝石衬底的第一表面上的光刻胶进行曝光、曝光后烘培PEB、显影，去除所述蓝宝石衬底的第一表面的第二区域和部分第一区域的光刻胶；

采用等离子刻蚀，在所述蓝宝石衬底的第一表面的第一区域形成图形。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述光刻胶的厚度为2-4um。

8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述等离子刻蚀形成图形时，上电极功率为1700-1900W，下电极功率为350-500W，刻蚀压力为2.5-3.5mtorr，刻蚀温度为30-45℃，刻蚀气体为80-120sccm的三氯化硼。

9.根据权利要求1-5任一项所述的方法，其特征在于，所述在所述外延片的第二表面蒸镀ODR，包括：

在所述外延片放入光学蒸镀机之后，抽真空至5.0*E-5Pa；

采用电子束在所述外延片的第二表面蒸镀五氧化三钛和二氧化硅交替的膜层，并在五氧化三钛和二氧化硅交替的膜层上蒸镀一层氧化铝层；

采用电子束在所述氧化铝层上蒸镀金属银的膜层；

在所述金属银的膜层上再蒸镀一层氧化铝层。