[发明专利]开关电源的斜坡补偿电路及方法

权利要求书

1.一种开关电源的斜坡补偿电路，该开关电源的占空比D的范围为0～D_MAX，D_MAX为最大占空比，其特征在于，该斜坡补偿电路包括：

电流源，其输入端连接电源，其输出端产生第一电流；

电容，其第一端连接所述电流源的输出端，其第二端接地，所述第一电流对所述电容充电，所述电容两端的电压记为曲线电压；

第一开关管，其第一端连接所述电容的第一端，其第二端接地，所述第一开关管在占空比D∈[0,D_S]时开通以将所述曲线电压置零，在占空比D∈(D_S,D_MAX]时关断，D_S为0至D_MAX之间的预设值；

电压转电流电路，与所述电容的第一端相连，跟随所述曲线电压并将跟随的曲线电压转换为第二电流；

第一镜像电路，对所述第二电流进行镜像以产生第三电流，该第三电流传输至所述电容的第一端以对所述电容充电；

第二镜像电路，对所述第二电流进行镜像以产生补偿电流。

2.根据权利要求1所述的斜坡补偿电路，其特征在于，所述占空比D在D_S以下时，所述补偿电流为0；所述占空比D在D_S以上时，所述补偿电流随占空比增大而增大，而且所述补偿电流的斜率也随占空比增大而增大。

3.根据权利要求1所述的斜坡补偿电路，其特征在于，所述电压转电流电路包括：

运算放大器，其正输入端连接所述电容的第一端；

第二开关管，其控制端连接所述运算放大器的输出端，其第二端连接所述运算放大器的负输入端并且经由转换电阻接地；

第一PMOS晶体管，其源端连接电源，其漏端连接该第一PMOS晶体管的栅端以及所述第二开关管的第一端，流经所述第一PMOS晶体管的电流为所述第二电流。

4.根据权利要求3所述的斜坡补偿电路，其特征在于，所述第一镜像电路包括：第二PMOS晶体管，其源端连接电源，其漏端连接所述电容的第一端，其栅端连接该第一PMOS晶体管的栅端。

5.根据权利要求3所述的斜坡补偿电路，其特征在于，所述第二镜像电路包括：第三PMOS晶体管，其源端连接电源，其漏端输出所述补偿电流，其栅端连接该第一PMOS晶体管的栅端。

6.根据权利要求1所述的斜坡补偿电路，其特征在于，所述补偿电流为：其中，I₀为所述补偿电流，m为该第一镜像电路的镜像比，n为该第二镜像电路的镜像比，I₁为所述第一电流，R为电压转电流电路的转换电阻，t为时间，T为所述开关电源的周期。

7.根据权利要求1所述的斜坡补偿电路，其特征在于，还包括：电流转电压电路，将所述补偿电流转换为补偿电压，所述补偿电压的电压值与所述补偿电流的电流值一一对应。

8.一种开关电源的斜坡补偿方法，该开关电源的占空比D的范围为0～D_MAX，D_MAX为最大占空比，其特征在于，该方法包括：

所述占空比D在D_S以下时，补偿电流为0，D_S为0至D_MAX之间的预设值；

所述占空比D在D_S以上时，所述补偿电流随占空比增大而增大，而且所述补偿电流的斜率也随占空比增大而增大。

9.根据权利要求8所述的斜坡补偿方法，其特征在于，还包括：将所述补偿电流转换为补偿电压，所述补偿电压的电压值与所述补偿电流的电流值一一对应。